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年鉴

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2020年
2020-12-01

2019年,微电子所共有在研项目418项(包括新增项目166项)。包括,主持(或承担)国家自然科学基金、杰出青年基金、国家重大科技专项、重点研发计划等项目;主持或承担中科院STS项目、先导专项、弘光专项、重点部署项目等。2019年,获得省部级奖4项。其中,“高电流密度SiC电力电子器件关键技术及应用”获2019年度北京市科学技术奖二等奖、“物流智能分拣装备系统研发及产业化应用团队”获得2019年度中国科学院科技促进发展奖、“中国科学院微电子研究所集成电路核心技术创新团队”获得2019年度中国电子学会科学技术奖-中国电子信息科技创新团队、“InP基毫米波、太赫兹固态电子器件与电路”获得2019年度前沿科技创新专项奖二等奖。2019年共发表论文422篇,其中SCI...


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2019年
2019-06-10

截至2018年底,微电子所共有在职职工1091人。其中科技人员705人、科技支撑人员276人,包括中国科学院院士1人、发展中国家科学院院士1人、研究员及正高级工程技术人员115人、副研究员及高级工程技术人员297人。微电子所是国务院学位委员会批准的博士学位(1996年5月获批)、硕士学位(1990年11月获批)授予权单位之一,现设有电子科学与技术、光学工程两个一级学科,其中电子科学与技术下设“微电子学与固体电子学”(2011年获批中国科学院重点学科)、“电路与系统”两个二级学科;设有硕士、博士研究生培养点和“电子科学与技术”一级学科博士后流动站,拥有“集成电路工程”、“电子与通信工程”两个工程硕士培养点。截至2018年底,共有在学研究生889名,其中微...


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2018年(246-248页)
2019-03-13

2017年,微电子所获得国家、省部级等奖项5项。其中,“22-14纳米集成电路器件工艺先导技术”获2017年度国家技术发明奖二等奖、“原子层沉积系统的开发与应用”获2017年度北京市科学技术奖三等奖和中国电子学会科学技术奖技术发明类一等奖、“基于TSV的 2.5D/3D封装制造及系统集成技术”获2017年度中国电子学会科学技术奖技术发明类二等奖、“面向软定义总线的单载波超宽带短距通信技术”作为第二完成单位获2017年度中国通信学会科学技术奖技术发明类一等奖。2017年共发表论文302篇,其中SCI论文163篇,EI论文85篇,论文总影响因子400.2887,申请专利311项,专利授权330项,出版专著9部,登记软件著作权3项。2017年,微电子所在国际著名刊物上发表的达到国内外先进...


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2017年(234-236页)
2019-03-13

2016年,微电子所获多项国家和省部级奖励,其中,“氧化物阻变存储器机理与性能调控”获2016年度国家自然科学奖二等奖,“22纳米集成电路核心工艺技术及应用”获2016年度北京市科学技术奖一等奖及2016年度中国电子学会科学技术奖技术发明类一等奖。主要科研成果有:1.面向14纳米及以下技术代的工艺研发。参与中芯国际牵头的14纳米FinFETs量产技术研发项目,在14纳米以下技术代新结构FinFETs器件研究方面,提出创新工艺制造衬底隔离的Fin-on-insulator(FOI)FinFET新结构器件,实现了对沟道漏电和短沟道效应的大幅抑制,利用结构优势实现了全金属化源漏,大幅提高了器件性能。2.阻变存储器复位失效研究和RRAM高密度三维集成技术取得重要进展。揭示了阳离子基阻变存...


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2016年(208-210页)
2019-03-13

2015年,微电子所取得的主要成果有:(1)行业服务方面,集成电路设计技术方向:开发完成40-28纳米尺度的可制造性设计、快速电磁仿真和计算、混合电路设计自动化、存储器编译器、软硬件协同验证等EDA技术和工具,弥补了集成电路产业链技术鸿沟,为国内集成电路制造代工企业和大型集成电路设计企业开发PDK、标准单元等基础IP。集成电路制造工艺方向:实现了22-14纳米关键工艺、新型闪存器件、先进封装和新原理装备等技术突破,研究水平迈入世界前列。形成了较为系统的知识产权布局并首次实现了向大型制造企业的许可转让。在高密度三维存储器件方面,与武汉新芯组织联合团队,完成39层3D-NAND闪存关键工艺及原型器件结构开发,得到企业的高度认可。在下一代存储器方...


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2015年(215-217页)
2019-03-13

2014年,微电子所取得的主要成果有:(1)半导体器件与电路方向:在InP毫米波、太赫兹单片集成电路技术与应用方面获得突破进展,其中InP DHBT器件截止频率超过600GHz,InP HEMT器件fmax超过500GHz,InP肖特基二极管器件截止频率达到4.4THz,实现了系列W波段MMIC电路;IGBT、SiC等高压器件研发取得多项成果,并与株洲南车、国家电网等企业合作开始产业化开发;(2)集成电路设计方向:40-28纳米可制造性设计技术取得多项成果,并应用于中芯国际等大型制造企业;在极低功耗设计、集成电路设计方法学、卫星导航芯片、多核DSP等领域取得一系列创新性成果;(3)集成电路制造工艺方向:完成面向22纳米技术代的150多项单项技术的研发并实现工艺集成,成功研发出较完整的1...