实验室介绍刻蚀工艺设备
设备一：Rainbow4420
设备二：Rainbow4520
PVD及离子注入工艺设备
设备一：VARIAN3180溅射台
设备二：MLH-2306 RDE溅射台
设备三：IM-200离子注入机
光刻工艺设备介绍
设备一：CANON PLA501F光刻机
设备二：SVG81轨道机
设备三：EVG620
高温工艺设备
设备一：4寸BTU高温炉管
设备二：4寸TEMPRESS低压炉管
设备三：4寸DFS-250低压炉管
设备四：PE氮化硅大圆盘
设备五：RTA退火
设备六：栅前清洗机
设备七：NANO膜厚仪
设备八：椭偏仪机台收费标准及联系方式
实验室介绍：
集成电路先导工艺研发中心是一个集产学研于一身的国际性开放试验平台，中心围绕集成电路先导工艺技术研究，致力于CMOS前沿工艺技术、MEMS器件与集成技术研究、新原理的微细加工技术和设备研发，拥有一条完整的CMOS/MEMS工艺线和雄厚的工艺研发力量，是我国集成电路前沿研究领域的中坚力量，在CMOS器件成套工艺，MEMS制造技术和器件应用等方面做出了多项代表国家集成电路工艺研究水平的成果。研发中心拥有一个净化面积达300平米的4英寸Mini CMOS工艺研发实验室和一个净化面积2200平米的8英寸（建设中）CMOS先导工艺研发平台，具备国内一流的CMOS/MEMS器件加工及工艺整合环境，是一个功能完善的从事纳米尺度新型CMOS/MEMS器件与工艺研究的开放研发基地。中心主要研究方向为：（一）CMOS先导工艺技术研究 在CMOS先导工艺技术研究领域，先后承担了数十项国家级重大科研项目，获得了大量突出的科研成果。目前，研发中心正致力于22纳米及以下技术CMOS关键工艺技术开发，包括新材料、新工艺及新器件结构方面的研究。研究重点包括应变工程、高k栅介质/金属栅技术、超浅低阻源/漏技术、肖特基结源/漏技术、新器件结构、三维集成技术等。（二）MEMS技术研究 主要包括微结构的设计与模拟、微结构的制作以及CMOS-MEMS集成技术研究。在非制冷红外成像（IRFPA）、微流体探测与控制、生物传感、气体检测、微尖端阵列直写等一系列MEMS器件的研发方面取得了一系列有代表性的研究成果。（三）新原理半导体设备开发 在新原理半导体设备开发领域，主要研究方向是半导体清洗设备和超薄高均匀性薄膜淀积设备研发，包括超临界流体清洗设备和原子层薄膜沉积设备（ALD）。对于多功能ALD设备的研发，主要是面向32/22纳米技术半导体器件加工工艺的需要，用以获得超薄、高均匀性、高质量的薄膜生长。
刻蚀工艺设备：
设备一：Rainbow4420
1、仪器介绍（简介、用途）
Rainbow4420 是Lam Research corporation 生产的单片4inch等离子干法刻蚀机，配置有自动终点检测功能，RF generator为650w/13.56MHz，是用于0.5um工艺半导体生产设备，主要对poly-si、Nitride介质的干法腐蚀。
2、特点和特色（或水平和意义）
1） Rainbow4420对Si3N4的刻蚀：
Etch rate：240nm/min
Selectivity to Oxide：2:1
to PR：0.8:1
Profile：＞87°
2）Rainbow4420对Poly-si的刻蚀：
Etch rate：320nm/min
Selectivity to Oxide：18:1
to PR：2:1
Profile：＞88°
3、图片说明
设备二：Rainbow4520
1、 仪器介绍（简介、用途）
Rainbow4520 是Lam Research corporation 生产的单片4inch等离子干法刻蚀机，配置有自动终点检测功能，RF generator为2200w/400KHz，是用于0.5um工艺半导体生产设备，主要对Oxide介质的干法腐蚀。
2、 特点和特色（或水平和意义）
Rainbow4520对SiO2的刻蚀：
Etch rate：700nm/min
Selectivity to Oxide：6:1
to PR：2:1
Profile：＞88°
3、 图片说明
PVD及离子注入工艺设备：
设备一：VARIAN3180溅射台
1、 仪器介绍（简介、用途）
VARIAN3180溅射台是一台在线CASSETTE-TO-CASSETTE、连续生产型的设备，采用直流磁控溅射技术，用于在4inch硅片表面溅镀铝、铝合金以及其它金属薄膜。目前使用的是Al-1%Si的铝靶材，用于在硅片表面溅镀铝-硅薄膜。
该设备采用竖直结构，单边溅射方式，共有3个靶位，每个靶位配置一个直流电源。可实现单靶和多靶连续溅镀作业。每个靶位配置一个SHUTTER，用于预溅射及防止交叉污染。
该设备由主计算机控制各项操作，自动化程度高。主要控制部分有：
工艺控制器——控制工艺气体引入、靶电源功率调节、SHUTTER开关等溅射作业操作。
装/卸片控制器——控制装/卸片有关作业操作的执行。
真空控制器——控制真空系统各项作业操作的执行。
该设备作业时，自动从CASSETTE中取片，通过LOADLOCK装入溅射腔体，溅射腔体则一直保持在真空状态。工艺后的硅片被放回CASSETTE中的原位置，装/卸硅片及溅镀作业分别独立连续进行。每CASSETTE最多作业25片。
该设备可对硅片进行预加热及加热溅射，采用高纯Ar气作为工艺气体。
溅镀采用菜单式，各靶位的淀积功率、淀积时间以及硅片加热时间等参数均可编辑修改。
2、 特点和特色（或水平和意义）
1、 腔体真空度≤2E-6Torr
2、 直流靶电源：12KW
3、 硅片加热温度：400℃ max
4、 膜厚片内均匀性：≤±2%
5、 常规淀积膜厚：500A~2μm。
3、 图片说明
VARIAN3180溅射台
设备二：MLH-2306 RDE溅射台
1、 仪器介绍（简介、用途）
MLH-2306 RDE溅射台是ULVAC生产的溅射设备，采用直流/RF磁控溅射技术，用于在4inch硅片表面溅镀金属、金属氮化物薄膜。目前使用靶材有Al-1%Si、Ti、Ni、Ta、W、Si、Hf、Mo、HfO2等。
设备采用平面结构，下靶位配置，共有3个靶位，配有一个直流电源和一个RF电源，单靶溅镀作业，靶电源手动切换至作业靶位。各靶位配置有隔离挡板，避免不同靶材之间的交叉污染，配置SHUTTER，可用于预溅射。
设备配有一个LOADLOCK腔和一个溅射腔，溅射腔一直保持在真空状态，装/卸硅片采用手动作业方式，载片盘一次最多放置8片硅片，硅片通过LOADLOCK腔进入溅射腔及从溅射腔中取出。溅射过程中片盘转动，保证每片硅片均匀溅镀。
设备配有Ar、N2质量流量计，用于工艺气体的控制，利用固定闭合角度的阀门控制抽速，配合流量调节控制淀积压力。
设备可对硅片进行预加热。
主要控制部分有：
真空系统控制部分——控制真空系统各项作业操作的执行。
溅射作业控制部分——控制SHUTTER的定位及工艺时间计时。
电机旋转控制部分——控制片盘的旋转。
靶电源控制部分——控制靶电源的启动和调节。
冷泵控制部分——控制冷泵的再生作业。
2、 特点和特色（或水平和意义）
1、 真空系统配置机械泵+冷凝泵，溅射腔极限真空~8E-7Torr。
2、 直流靶电源：0~3KW，功率连续可调。
3、 RF靶电源：0~3KW，功率连续可调。
4、 硅片加热温度：400℃ max
5、 膜厚片内均匀性：≤±5%
6、 Ar流量计：50SCCM，流量连续可调。
7、 N2流量计：50SCCM，流量连续可调。
8、 常规淀积压力：8E-3Torr。
3、 图片说明
MLH-2306 RDE溅射台控制面板及靶电源 
MLH-2306 RDE溅射台主机
设备三：IM-200离子注入机
1、 仪器介绍（简介、用途）
IM-200离子注入机是日本真空（ULVAC）制造的中束流生产型注入机，用于4inch硅片的掺杂注入，控制自动化程度高。
IM-200离子注入机主要分为源端、束线及ENDSTATION三部分：
源端部分包括：离子源及其电源、特气系统、Extraction电源、加速高压系统、分析磁铁等，主要作用是产生、引出离子束，通过调节分析磁铁选择出所需要的离子束并将其加速到所需能量。
束线部分包括四极聚焦透镜、X、Y扫描偏转装置及电源，主要作用是利用静电场将离子束聚焦，利用交变电场控制离子束，使其在硅片表面实现X、Y方向均匀扫描。
END STATION部分包括束流测量系统及硅片装/卸机构。主要作用是实现束流测量及硅片的自动注入作业。
主要控制部分有：
真空控制器——执行注入机真空系统的各项作业操作。
源控制器——控制源气体量的调节、离子源灯丝和起弧电流的调节以及分析磁场的调节。
注入机SET-UP控制器——控制离子束的聚焦、对中、扫描幅度的调节。
剂量控制器——控制注入剂量的设定和计数。
能量控制器——加速、减速工作模式的选择及注入能量调节。
END STATION控制器——控制硅片的自动注入作业的各项操作的执行。
每CASSETTE可作业25片，硅片的装、卸及注入连续自动进行。
2、 特点和特色（或水平和意义）
注入离子种类：B、BF2、P、As、Ge等
注入能量：
加速模式：25~160KeV。目前只能作业25~45KeV。
减速模式：3~25KeV。
注入剂量：E11~E15。
注入角度：7度。
注入方阻均匀性：≤3%。
3、 图片说明
IM-200离子注入机控制面板 
IM-200离子注入机END STATION
公共技术服务中心