微波器件与集成电路研究室（四室）是国内最早开展化合物半导体器件和电路研究的单位之一，建立了国内第一条4英寸化合物半导体材料实验线，并一直引领着该研究领域的发展。经过多年来的发展，形成了一个由吴德馨院士带队，中青年科研骨干为基础的科研团队。近几年，研究室投入大量资金改善室内科研环境，提高室内科研管理化水平，加强信息化平台的建设。在研究室成员的共同努力下，研究室目前在微波毫米波GaN功率器件和电路、高端毫米波InP基器件和电路、GaAs HBT基超高速数模混合电路等方面取得了显著的科研成果，为我国化合物半导体器件和电路的发展起到了重要的推动作用。
2000年，以吴德馨院士为主，微电子中心新型器件组得以建立，并于同年建立了中国第一条实验性4英寸砷化镓生产线，独立开发了全套砷化镓半导体加工工艺。随着微电子中心发展为微电子研究所，新型器件组的科研力量也日益壮大，并在2003年独立为第四研究室，4英寸砷化镓实验线也成长为化合物材料综合科研平台。随着世界半导体材料的飞速发展，以三五族化合物中氮化镓为代表的新材料成为了微电子工业中的宠儿。第四研究室紧跟世界科技发展的方向，开始在原有砷化镓科研平台的基础上升级发展，经过不懈努力，开发出了氮化镓工艺平台，并再接再厉，打造出了兼容砷化镓，磷化铟，氮化镓的三五族化合物半导体工艺平台。
设备一：减薄系统
仪器介绍：英国LOGITECH公司生产PM51研磨机和PM54抛光机，用于进行衬底减薄和抛光工艺。
特点和特色：兼容4英寸以下甚至不规则形状衬底的减薄和抛光工艺，采用低温可塑蜡黏附，可靠高效，安全性高。使用英国原装进口研磨耗材和化学抛光浆液，进行高效研磨和抛光工艺。并配以独立开发的新型减薄浆液进行复合材料减薄工艺。可进行莫氏硬度3～9的各种硬度半导体材料的减薄抛光工艺，兼容InP、GaAs、Si、SiGe、SiC、蓝宝石材料。厚度均匀性±5%，晶片减薄后的极限厚度≤50μm 表面粗糙度5nm，晶片无卷曲，无龟裂，无崩边，工艺操作简单，可靠，重复性强。
图片说明
减薄系统PM51&PM54
抛光工艺进行中
设备二：划片机
仪器介绍：日本DISCO DAD321划片机，进行半导体后道划片封装标准工艺。
特点和特色：采用合金切刀，高速划片，刀口宽度50μm左右，可切割Si、GaAs等常见半导体材料，兼容6英寸以下晶片。
图片说明
DAD321切割机
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