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PLASMA ETCHING 电将蚀刻
2014-04-11 | 编辑: | 【 【打印】【关闭】

  在干蚀刻技术中,一班多采用电浆蚀刻与活性离子蚀刻,通常电浆蚀刻使用较高之压力(大于200mT)及较小之RF功率,当芯片浸在电浆之中,暴露在电将之表面层原子或分子与电浆中之活性原子接触并发生反应形成气态生成物而离开晶面造成蚀刻,此类蚀刻即称之为电浆蚀刻。所谓电浆极为气体分子在一电场中被游离成离子(正、负电荷)、电子及中性基(Radical)等,在纯化学反应中,吾人取中性基为蚀刻因子,在R.I.E时,取活性离子作为中性因子。

  



 
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