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现任领导

       

  姓  名: 王文武 

  性  别: 男 

  出生年月: 19731 

  职  称: 研究员 

  学  历: 博士 

  研究方向: 集成电路先进工艺与器件技术 

  主要经历: 

  1992.09--1997.06  兰州大学物理系金属物理专业本科学习 

  1997.07--1998.08  研究所科研工作 

  1998.09--2002.10  兰州大学凝聚态物理专业硕博连读研究生 

  2002.10--2003.04  日本东京大学进行学术研究 

  2003.04--2006.04  日本东京大学材料工程专业博士研究生 

  2006.04--2006.07  日本东京大学工学院工作 

  2006.07--2008.04  日本产业技术综合研究所工作

  2008.04--2008.08  中科院微电子研究所副研究员 

  2008.08--2011.01  中科院微电子研究所研究员 

  2011.01--2015.01  中科院微电子研究所科技处处长、研究员 

  2015.01--2017.10  中科院微电子研究所所长助理、科技处处长、研究员 

  2017.10--2020.07  中科院微电子研究所所长助理、集成电路先导工艺研发中心 主任、研究员 

  2020.07--               中科院微电子研究所副所长、研究员 

  承担科研项目情况: 

  作为项目(课题)负责人和技术骨干参与了十余项国家及省部级科研项目,包括国家科技重大专项、863计划项目、国家自然科学基金重点项目、重大仪器专项项目和面上项目等。另外,已发表学术文章200余篇,申请发明专利160余项。 

  1.国家02科技重大专项:“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”(批准号:2009ZX02035),课题负责人,已结题; 

  2.国家02科技重大专项:“16-14nm基础技术研究”(批准号:2013ZX02303),技术骨干,已结题; 

  3.国家02科技重大专项:“32-22nm栅刻蚀机产品研发及产业化”,(批准号:2011ZX02101),课题负责人,已结题; 

  4.国家02科技重大专项:“20-14nm产品工艺开发”(批准号:2014ZX02301),子课题负责人,在研; 

  5.国家02科技重大专项:“7-5nm集成电路先导工艺与系统集成新技术”(批准号:2017ZX02315),课题负责人,在研; 

  6.863计划项目:“14nm以下技术代硅基新器件及工艺技术研究”(批准号:2015AA016501),课题负责人,已结题; 

  7.国家自然基金重大仪器专项:“新型GaN电子器件低界面态介质生长系统”(批准号:61527816),项目负责人,在研; 

  8.国家自然科学基金重点项目:“铪基金属氧化物高k栅介质的基础研究”(批准号:50932001),课题负责人,已结题; 

  9.国家自然科学基金面上项目:“基于臭氧技术的Ge基高介电常数栅介质MOS器件的基础研究:界面特性、栅电荷分布及起源、迁移率散射机制”,(批准号:61574168),项目负责人,已结题; 

  10.国家自然科学基金面上项目:“高k栅介质/金属栅结构CMOS器件的界面特性与有效功函数控制技术的基础研究”,(批准号:61176091),项目负责人,已结题; 

  11.教育部留学人员回国启动基金:“纳米尺度CMOS器件金属栅极的制备和高k/金属栅集成与阈值电压控制技术”,项目负责人,已结题; 

  12.中科院C类战略性先导预研项目:“3-1nm集成电路新器件与先导工艺”(批准号:XDAY0701),项目负责人,在研; 

  获奖情况: 

  2007年获日本半导体MIRAI项目优秀奖 

  2008年获日本半导体MIRAI项目最优秀奖 

  2014年获中国科学院杰出科技成就奖(集体奖) 

  2017年获北京市科学技术奖一等奖 

  2018年获得国务院政府特殊津贴 

  2019年获中国电子信息科技创新团队奖 

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