论文编号: 1725110120150195
第一作者所在部门: 高频高压中心
论文题目: Effect of alloying temperature on the capacitance–voltage and current–voltage characteristics of low-pressure chemical vapor deposition SiNx/n-GaN MIS structures
论文题目英文:
作者: 马晓华
论文出处:
刊物名称: Physics Status Solidi A
: 2015
: 212
: 12
: 2928-2935
联系作者: 王鑫华,刘新宇
收录类别:
影响因子: 1.616
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
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