论文编号: 1725110120160263
第一作者所在部门:
论文题目: Simulation On Threshold Voltage Of L-Shaped Bottom Select Transistor In 3D NANDFlash Memory
论文题目英文:
作者: 张瑜
论文出处:
刊物名称: 2016 IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
: 2016
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: 55
联系作者: 霍宗亮,靳磊
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