论文编号: 1725110120160085
第一作者所在部门:
论文题目: A 128 Kb HfO2 ReRAM with Novel Double-Reference and Dynamic-Tracking scheme for write yield improvement
论文题目英文:
作者: 陈铖颖
论文出处:
刊物名称: IEICE Electronics Express
: 2016
: 13
: 6
: 1
联系作者: 陈铖颖
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