论文编号: 1725110120160077
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论文题目: Investigation of the interface between LPCVD-SiNx gate dielectric and III-nitride for AlGaN/GaN MIS-HEMTs
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刊物名称: Journal of Vacuum Science & Technology B
: 2016
: 34
: 4
: 041202-1
联系作者: 黄森,刘新宇
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