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  • 姓名: 孙宝刚
  • 性别: 男
  • 职称: 副研究员
  • 职务: 
  • 学历: 研究生
  • 电话: 010-82995554
  • 传真: 
  • 电子邮件: sunbg@ime.ac.cn
  • 所属部门: 硅器件与集成研发中心
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

    社会任职:

    研究方向:

    承担科研项目情况:

    代表论著:

  • 1. 邵红旭,孙宝刚,韩郑生,“0.1mm SOI槽栅CMOS器件特性仿真”,电子工业专用设备,2005年第一期,已发表;

    2. 邵红旭,吴俊峰,韩郑生,孙宝刚,“硅膜厚度对0.1mm SOI槽栅NMOS器件特性的影响”,微电子学与计算机,已发表;

    3.邵红旭,孙宝刚,吴俊峰,钟兴华, “Study on the Characteristics of 0.1mm SOI Grooved gate pMOSFET”,半导体学报,已发表;

    4. 程 超,海潮和,孙宝刚,“0.5μm高速BiCMOS的工艺研究”,微电子学与计算机,已发表;

    5. 程 超,海潮和,孙宝刚,“高速双极晶体管工艺条件的优化研究”,微电子学,已发表。

    专利申请:

    获奖及荣誉: