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  • 姓名: 许高博
  • 性别: 男
  • 职称: 研究员
  • 职务: 
  • 学历: 博士
  • 电话: 010-82995723
  • 传真: 
  • 电子邮件: xugaobo@ime.ac.cn
  • 所属部门: 集成电路先导工艺研发中心
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

  • 教育背景

    1998.9 -2002.7 山东大学 信息科学与工程学院 学士

    2003.9 -2009.7 中国科学院微电子研究所 博士

    工作简历

    2009.7 –至今 中国科学院微电子研究所

    社会任职:

    研究方向:

  • 高k栅介质/金属栅技术

    承担科研项目情况:

    代表论著:

  • 1. Gaobo Xu, Qiuxia Xu, Thermal stability of HfON, HfSiON and HfTaON gate dielectrics, 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology Proceedings, 2008, 1284-1287

    2. Gaobo Xu, Qiuxia Xu, Characteristics of high-quality HfSiON gate dielectric prepared by physical vapor deposition, Chinese Physics B, 2009, 18 (2): 768-772

    3. Gaobo Xu, Qiuxia Xu, Thermal stability of HfTaON films prepared by physical vapor deposition, Journal of Semiconductors, 2009, 30 (2): 023002

    4. Gaobo Xu, Qiuxia Xu, Characteristics of HfSiAlON Gate Dielectric Prepared by Physical Vapor Deposition, ECS Transactions, 2011, 34 (1) : 495-501

    专利申请:

    获奖及荣誉: