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  • 姓名: 许高博
  • 性别: 男
  • 职称: 研究员
  • 职务: 
  • 学历: 博士
  • 电话: 010-82995723
  • 传真: 
  • 电子邮件: xugaobo@ime.ac.cn
  • 所属部门: 集成电路先导工艺研发中心
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

  • 教育背景  

    1998.9-2002.7   山东大学               工学学士 

    2003.9-2009.7   中国科学院微电子研究所 工学博士 

    2016.11-2017.12 德克萨斯大学奥斯汀分校 访问学者 

    工作简历  

    2009.7-2011.9 中国科学院微电子研究所 助理研究员 

    2011.9-2021.7 中国科学院微电子研究所 副研究员 

    2021.7-至今  中国科学院微电子研究所 研究员 

    社会任职:

  •  

    研究方向:

  • 新型半导体器件,集成电路先导工艺,先进半导体探测器

    承担科研项目情况:

  • 1. 22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设,02科技重大专项,2009-2014,项目骨干

    2. 超薄HfSiON+MOx叠层高k栅介质研究及制备,北京市自然科学基金,2012-2013,项目负责人 

    3. 低功耗隧穿场效应晶体管研究及制备,中国科学院微电子研究所所长基金,2013-2014,项目负责人 

    4. 离子掺杂高k栅介质/金属栅技术研究及理论分析,中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室开放课题,2015-2016,项目负责人 

    5. 基于多元硅漂移探测器的高效同步辐射荧光谱仪,中国科学院科研仪器设备研制项目,2017-2018,项目骨干 

    6. 小像素二维探测器,国家重点研发计划,2017-2020,项目骨干 

    7. 面向自由电子激光的大阵列硅基探测器关键技术研制,中国科学院科研仪器设备研制项目,2020-2022,项目骨干 

    8. 基于FeFET的超低能耗边缘智能芯片,校企产研项目,2021-2022,项目负责人 

    9. 高密度三维IGZO DRAM存储器PVD,北京超弦存储器研究院项目,2022-2024,项目负责人 

    10. 超高帧频大动态范围X射线探测系统,国家重大科研仪器研制项目,2022-2026,项目骨干

    代表论著:

  • 1.     Gaobo Xu, Qiuxia Xu, Thermal stability of HfTaON films prepared by physical vapor deposition, Journal of Semiconductors, 2009, 30 (2): 023002. 

    2.    Gaobo Xu, Qiuxia Xu, Characteristics of high-quality HfSiON gate dielectric prepared by physical vapor deposition, Chinese Physics B, 2009, 18 (2): 768-772. 

    3.     Gaobo Xu, Qiuxia Xu, Huaxiang Yin, Huajie Zhou, Tao Yang, Jiebin Niu, Jiahan Yu, Junfeng Li and Chao Zhao, High performance HfSiON/TaN NMOSFET with a gate-last process, Chinese Physics B, 2013, 22(11): 117309. 

    4.     Gaobo Xu, Qiuxia Xu, Huaxiang Yin, Huajie Zhou, Tao Yang, Jiebin Niu, Xiaobin He, Lingkuan Meng, Jiahan Yu, Junfeng Li, Jiang Yan, Chao Zhao and Dapeng Chen, Characterization of HfSiAlON/MoAlN PMOSFET fabricated using a novel gate-last process, Chinese Physics Letters, 2013, 30(8): 087303. 

    5.     Qiuxia Xu, Gaobo Xu, Huajie Zhou, Huilong Zhu, Qingqing Liang, Jinbiao Liu, Junfeng Li, Jinjuan Xiang, Miao Xu, Jian Zhong, Weijia Xu, Chao Zhao, Dapeng Chen and Tianchun Ye, Ion implanted TiN metal gate with dual-band edge work function and excellent reliability for advanced CMOS device applications, IEEE Transaction on Electron Devices, 2015, 62(12): 1-7. 

    6.     Guoliang Tian, Jinshun Bi*, Gaobo Xu*, Kai Xi, Xueqin Yang, Sandip Majumdar, Huaxiang Yin, Qiuxia Xu, Wenwu Wang, Single-event-transient effects in silicon-on-insulator ferroelectric double-gate vertical tunneling field effect transistors. Science China. Information Sciences, 2020, 63(12)229403. 

    7.    Guoliang Tian, Jinshun Bi*, Gaobo Xu*, Kai Xi, Huaxiang Yin, Qiuxia Xu and Wenwu Wang, Heavy ion induced single-event-transient effects in nanoscale ferroelectric vertical tunneling transistors by TCAD simulation, Semiconductor Science and Technology, 2020, 35(10): 105010.  

    8.    Gangping Yan, Gaobo Xu*, Jinshun Bi*, Guoliang Tian, Qiuxia Xu, Huaxiang Yin, Yongliang Li, Accumulative total ionizing dose (TID) and transient dose rate (TDR) effects on planar and vertical ferroelectric tunneling-field-effect-transistors (TFET), Microelectronics Reliability, 2020, 114(9): 113855. 

    9.    Gangping Yan, Kai Xi, Gaobo Xu*, Jinshun Bi*, Huaxiang Yin, Analysis of Single Event Effects in Capacitor-Less 1T-DRAM Based on an InGaAs Transistor, IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68(4): 1604-1609. 

    10.  Gangping Yan, Hong Yang, Weibing Liu, Na Zhou, Yanpeng Hu, Yunfei Shi, Jianfeng Gao, Guoliang Tian, Yadong Zhang, Linjie Fan, Guilei Wang, Gaobo Xu*, Jinshun Bi , Huaxiang Yin*, Chao Zhao, and Jun Luo, Mechanism Analysis of Ultralow Leakage and Abnormal Instability in InGaZnO Thin-Film Transistor Toward DRAM, IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69 (5): 2417-2422. 

    专利申请:

  • 1.  许高博,徐秋霞,一种铪硅铝氧氮高介电常数栅介质的制备方法,ZL200910077623.8

    2.  许高博,徐秋霞,一种半导体器件的制备方法,ZL201010594946.7 

    3.  许高博,徐秋霞,一种存储器及其制造方法,ZL201110143077.0 

    4.  许高博,徐秋霞,叶甜春,n型半导体器件及其制造方法,ZL201110183594.0 

    5.  许高博,徐秋霞,形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法,ZL201210500533.7 

    6.  许高博,殷华湘,徐秋霞,半导体器件制造方法,ZL201510616088.4 

    7.  许高博,殷华湘,翟琼华,一种漂移探测器的双面制备方法及漂移探测器,ZL201911154720.2 

    8.  许高博,殷华湘,翟琼华,一种漂移探测器的制备方法及漂移探测器,ZL201911155931.8 

    9.  Gabo XuQiuxia XuP-type Semiconductor Device And Method For Manufacturing The SameUS 8786032 

    10. GaoboXuQiuxia XuMethod For Integrating Replacement Gate In Semiconductor DeviceUS 8377769

    获奖及荣誉: