当前位置 首页 人才队伍
  • 姓名: 田晓丽
  • 性别: 女
  • 职称: 副研究员
  • 职务: 
  • 学历: 博士
  • 电话: 010-82995601
  • 传真: 
  • 电子邮件: tianxiaoli@ime.ac.cn
  • 所属部门: 高频高压器件与集成研发中心
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

  • 教育背景 

    2002.09-2006.06,四川大学,学士 

    2006.09-2009.06,四川大学,硕士  

    2012.09-2016.06,中国科学院大学,博士 

     

    工作简历 

    2009.07-2013.12 中国科学院微电子研究所 助理研究员 

    2014.01至今 中国科学院微电子研究所 副研究员 

    社会任职:

  •  

    研究方向:

  • 硅基功率器件(Si IGBT)及宽禁带半导体碳化硅电力电子器件研究

    承担科研项目情况:

  • 1. 国家科技重大(02)专项,“功率模块测试与验证”,子任务负责人; 

    2. 国家重点研发计划项目,“车用高温大电流SiC 芯片研发”,子任务负责人; 

    3. 广东省重点领域研发计划项目,“轨道交通用高压大电流SiC芯片研制”,课题负责人; 

    4. 吉林省与中科院科技合作高技术产业化专项,“3300V超高压电力电子器件产业化开发”,项目负责人; 

    5. 国家科技重大(02)专项,“1700V-6500V IGBT产品的产业化设计研发”,核心骨干 

    6. 国家科技重大(02)专项,“IGBT产品开发、测试与可靠性研究研发”,核心骨干 

    代表论著:

  • Si基及SiC电力电子器件方面发表学术论文20余篇 

    专利申请:

  • 第一发明人或团队核心授权专利27项,含美国专利2 

    获奖及荣誉:

  •