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  • 姓名: 张锋
  • 性别: 男
  • 职称: 研究员
  • 职务: 
  • 学历: 博士
  • 电话: 82995940
  • 传真: 
  • 电子邮件: Zhangfeng_ime@ime.ac.cn
  • 所属部门: 微电子器件与集成技术重点实验室
  • 通讯地址: 

    简  历:

  • 教育背景 

    1996-2000:北京理工大学 本科 

    2000-2005:中国科学院微电子研究所 博士研究生 

    工作简历 

    2005-2010, 中国科学院计算技术研究所,处理器体系结构室,高级工程师 

    2010-2017:中国科学院微电子研究所,微电子器件与集成技术重点实验室,副研究员 

    2017-至今,中国科学院微电子研究所,微电子器件与集成技术重点实验室,研究员 

    社会任职:

  • 从事芯片设计科研十余年,先后担任IEEE ISCASASSCCVLSI-DATASICON等国际电路会议组委会会员及分会主席,还担任IEEE JSSCTVLSITCAD,ISCASASSCC等多个会议和杂志审稿人。

    研究方向:

  • 集成电路芯片设计方向: 

    1)智能芯片处理与集成 

    2)高速接口电路设计 

    3)存储器芯片电路设计

    承担科研项目情况:

  • 1)国家重点研发计划 “高密度阻变存储器材料及器件集成技术研究” 项目负责人 + 课题负责人 

    2)863课题“阻变存储器外围电路设计关键技术研究” 课题负责人 

    3)自然科学面上基金“面向高带宽应用的高速串行接口电路关键技术研究”课题负责人 

    4)自然科学青年基金“片间高速收发电路的低功耗技术研究”课题负责人
     

    代表论著:

  • 个人出版专著: 

    《低功耗集成电路》、《集成电路验证》 

      

    发表论文六十余篇,其中近期论文: 

    [1] Q. Huo, Feng zhang* et al. Demonstration of 3D Convolution Kernel Function Based on 8-layer 3D Vertical Resistive Random Access Memory. IEEE Electron Device Letters, 2020.  

    [2] Q. Huo, Feng zhang* et al. Physics-Based Device-Circuit Cooptimization Scheme for 7-nm Technology Node SRAM Design and Beyond. IEEE Transactions on Electron Device, 2020.  

    [3] Q. Huo, Feng Zhang* et al. A Novel General Compact Model Approach for 7-nm Technology Node Circuit Optimization from Device Perspective and Beyond. IEEE Journal of the Electron Devices Society.2020 

    [4] Lei dengyun, Feng Zhang* et al. Effect of Moisture Stress on the Resistance of HfO2/TaOx-based 8-Layer 3D Vertical Resistive Random Access Memory.IEEE Electron Device Letters, 2019.  

    [5] Yiming Wang, Feng Zhang* et al. A Few-Step and Low-Cost Memristor Logic Based on MIG Logic for Frequent-Off Instant-On Circuits in IoT Applications.IEEE Transactions on circuits and systems II.2019. 

    [6]Ying Zhao, Feng Zhang*, et al .A Compact Model for Drift and Diffusion Memristor Applied in Neuron Circuits Design . IEEE Transactions on Electron Device, 2018.  

    [7]Feng Zhang, Fan Dongyu, Duan Yuan,MengFan Chang,Ming Liu. A 130nm 1Mb HfOx Embedded RRAM Macro Using Self-Adaptive Peripheral Circuit System Techniques for 1.6X Work Temperature Range. 2017 IEEE Asian solid-state conference. 

    [8]Xiaowei Han, Hongbin sun, Huangqiang Wu, Feng Zhang, Ming Liu et al.A 0.13um 64Mb HfOx Reram using configurable ramped voltage write and low read-disturb sensing techniques for reliability improvement. 2017 IEEE custom integrated circuits conference. 

    [9]Nan QI, Patrick Yin Chiang, Feng Zhang*,Ming Liu. A 51Gb/s, 320mW, PAM4 CDR with Baud-Rate Sampling for High-Speed Optical Interconnects.2017 IEEE Asian solid-state conference. 

    专利申请:

  • 目前已经申请国内发明专利三十余项 

    获奖及荣誉: