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  • 姓名: 王盛凯
  • 性别: 男
  • 职称: 研究员
  • 职务: 
  • 学历: 博士
  • 电话: 010-82995593
  • 传真: 010-62021601
  • 电子邮件: wangshengkai@ime.ac.cn
  • 所属部门: 高频高压器件与集成研发中心
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

  • 教育背景 

    2008.10-2011.9 东京大学 材料工程系 博士 

    2006.9-2008.9  哈尔滨工业大学 材料物理与化学系 硕士 

    2002.9-2006.8  哈尔滨工业大学 材料物理与化学系 学士 

    工作简历  

    2020.7-至今   中科院微电子研究所 研究员,课题组长 

    2015.8-2020.7 中科院微电子研究所 副研究员,课题组长 

    2015.4-2015.7 东京大学 材料工程系 公派访问学者 

    2013.10-2015.3 中科院微电子研究所 副研究员 

    2011.10-2013.9 中科院微电子研究所 助理研究员 

    社会任职:

  • 1. Nanoscience & Nanotechnology-Asia Section Editor (2020-至今) 

    2. 中科院青年创新促进会 微电子所组长(2020-至今),副组长(2019-2020) 

    3. 科技部国家中长期技术预测-海洋与信息、材料、人工智能交叉子领域秘书(2019-至今)
     

    研究方向:

  • 1. MOS体系的缺陷科学与工程(SiCGeIII-V) 

    2. 仿生智能器件与应用

    承担科研项目情况:

  • 1. 国家自然科学基金面上基金项目(61974159)“基于有效离子半径理论的SiC MOSFET栅介质与界面配位调控研究”(2020-2023),主持 

    2. 中国科学院青年促进会项目“SiC MOS栅介质与界面研究” (2017-2020) 

    3. 中国工程物理研究院联合研发项目3 (2016-2020) ,主持 

    4. ASIC国家重点实验室开放课题:仿生神经元器件及细胞生物电行为模拟(2018-2019) ,主持 

    5. 中国科学院重点实验室开放课题“二元系铁电氧化物极化行为研究”(2015-2016) ,主持 

    6. 国家自然科学基金青年基金项目(61204103) Ge-MOS 技术中镧系复合高k介质与GeO2/Ge 界面调控的研究”(2013-2015),主持 

    7. 中国科学院人才基金A类重点项目-“基于光子晶体技术的硅基锗红外探测器研究”(2013-2014),主持  

    参与科研项目情况: 

    1. 国家重点研发计划(2016YFA0202304)课题“二维原子晶体的材料制备和器件验证”(2016-2021 

    2. 国家973项目(2010CB327500)课题“超高频化合物基CMOS器件和电路研究”(2010-2014 

    3. 国家973项目(2011CBA00600)课题“超低功耗高性能集成电路器件与工艺基础研究”(2011-2015 

    4. 国家02科技重大专项课题(2011ZX02708-003)“高迁移率CMOS新结构器件与工艺集成研究”(2011-2014

    代表论著:

  • 论文84(其中一作32, 通讯作者15)H因子15,总引用821 

     (数据来源Google Scholar 2020-07) 

      

    代表论文(第一作者) 

    1. S.-K. Wang*, Q. Huang, J. Zhao, Y. Zhou, X. L. Zhao, P. L. Yao, X. Y. Liu, X. L. Liang, Electro-chemiresistive Functionalization of SWCNT-TFT by PCz and Its Electronic Hourglass Application with Zero-static Power Consumption, ACS Applied Energy Materials, 2,11(2019) 8253.  

    2. S.-K. Wang*, B. Sun, M.-M. Cao, H.-D. Chang, Y.-Y. Su, H.-O. Li, and H.-G. Liu*, Modification of Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations, J. Appl. Phys., 121 (2017) 184104.  

    3. S. K. Wang*, M. Cao, B. Sun, H. Li, H. G. Liu, Reducing the interface trap density in Al2O3/InP stacks by low-temperature thermal process, Appl. Phys. Express 8, 091201 (2015).  

    4. S. K. Wang, H.-G. Liu*, and A. Toriumi, Kinetic Study of GeO Disproportionation into GeO2/Ge System Using X-ray Photoelectron Spectroscopy, Appl. Phys. Lett. 101, 5 (2012).  

    5. S. K. Wang*, K. Kita, C. H. Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, Desorption kinetics of GeO from GeO2/Ge structure,  J. Appl. Phys. 108, 054104 (2010).  

      

    代表论文(通讯作者) 

    1. X. Y. Liu*, J. L. Hao, N. N. You, Y. Bai, Y. D. Tang, C. Y. Yang, S. K. Wang*, High mobility SiC MOSFET with low Dit using high pressure microwave plasma oxidation, Chin. Phys. B, 29 (2020) 037301. 

    2. Y. Xu, S. K. Wang*, P. L. Yao, Y. H. Wang, D. P. Chen, An air-plasma enhanced low-temperature wafer bonding method using high-concentration water glass adhesive layer, Appl. Surf. Sci. 500 (2019) 144007. 

    3. X. Y. Liu*, J. L. Hao, N. N. You, Y. Bai, S. K. Wang*, High pressure microwave plasma oxidation of 4H-SiC with low interface trap density, AIP Advances, 9 (2019) 125150.  

    4. Z. Y. Peng, S. K. Wang*, Y. Bai, Y. D. Tang, X. M. Chen, C. Z. Li, K. A. Liu, X. Y. Liu*, High Temperature 1MHz Capacitance-Voltage Method for Evaluation of Border Traps in 4H-SiC MOS System, J. Appl. Phys. 123 (2018) 135302. 

    5. X. Yang, S. K. Wang*, X. Zhang, B. Sun, W. Zhao, H. D. Chang, Z. H. Zeng, H. G. Liu*, Al2O3/GeOx gate stack on germanium substrate fabricated by in situ cycling ozone oxidation method, Appl. Phys. Lett. 105 (2014) 092101. 

      

    综述文章&邀请报告&图书章节等 

    1. S. K. Wang*,“Turbo charging the channel (Invited)”, Compound Semiconductor, 1, 22-30, (2016).  

    2. S. K. Wang, Germanium and III-Vs for future logic (Invited)Compound Semiconductor International 2017, Brussels Belgium, (March 7-8, 2017) 

    3. S. K. Wang, Rapid Growth of SiO2 on SiC with Low Dit using High Pressure Microwave Oxygen Plasma (Invited), 13th IEEE International Conference on ASICChongqing, China, (Oct 9-Nov 1, 2019) 

    4. S. K. Wang,“Interfaces in Ge MOSFETs (Invited)8th National Functional Materials and Application ConferenceHarbin, China, (Aug.24-26, 2013). 

    5. S. K. Wang*, H. G. Liu*, Passivation and Characterization in High-k/III-V Interfaces, in book entitled Nanoscale Semiconductor Devices, MEMS, and Sensors: Outlook and Challenges, Springer Publisher, New York, USA, 2017.

    专利申请:

  • 85项专利申请(第一发明人34),授权37项(含美国专利4) 

    代表授权发明专利 

    1.  Shengkai Wang, et al., Composite Gate Dielectric Layer Applied to Group III-V Substrate and Method for Manufacturing the same, 2019.1.29, US 15/539,597 

    2.  Shengkai Wang, et al., Dual-Gate PMOS Field Effect Transistor With InGaAs Channel, 2020.2.26US 15/539,478  

    3.  王盛凯,姚沛林,腔式多层膜驻极体发电机结构及其制备方法、供能系统,2020.6.19,中国,ZL 201910236299.3 

    4.  王盛凯,姚沛林,纳米发电机倍频输出结构及供能器件,2020.4.21,中国,ZL 201810263391. 4 

    5.  王盛凯,刘洪刚,孙兵,常虎东,赵威一种锗纳米线叠层结构的制作方法,2016.8.17,中国,ZL 201310741585.8 

    获奖及荣誉:

  • 1.   2020, 北京市技术发明二等奖 “高电流密度SiC电力电子器件” 排名第10 

    2.   2018,中科院微电子所优秀共产党员 

    3.   2018,中科院微电子所科普大赛一等奖 

    4.   2017,中科院微电子所科普大赛一等奖 

    5.   2017,中国科学院青年创新促进会会员 

    6.   2011, Young Researcher Award, IEEE-IWDTF2011, Japan. 

    7.   2009-2011, Global Center of Excellence Scholarship, Japan. 

    8.   2008,哈尔滨工业大学优秀毕业生-金牌 

    9.   2006,国防科工委优秀毕业生