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  • 姓名: 李彬
  • 性别: 男
  • 职称: 副研究员
  • 职务: 
  • 学历: 博士
  • 电话: 010-82995919
  • 传真: 
  • 电子邮件: libin1@ime.ac.cn
  • 所属部门: 先导中心光子器件与集成技术部
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

  • 教育背景
    2012.09-2016.10 北京交通大学 光学工程 博士
    工作简历
    2016.11-2019.01 中国科学院微电子研究所 博士后
    2019.02-至今 中国科学院微电子研究所 副研究员

    社会任职:

    研究方向:

  • 硅基光电集成技术

    承担科研项目情况:

    代表论著:

  • 1. Bin Li, Bo Tang, Peng Zhang, Jinzhong Yu, Xinyu Liu, Zhihua Li. Optimized fabrication of wafer-level Si waveguides based on 200-mm CMOS platform. Optik, 2018, 172: 777-782.

    2. Bin Li, Bo Tang, Peng Zhang, Daoqun Liu, Ruonan Liu, Zhangyu Zhou, Jinzhong Yu, and Zhihua Li. Silicon Photonics Technology on 200-mm CMOS Platform for High Integration Applications. Proc. SPIE 10814, Optoelectronic Devices and Integration VII, 1081412 (5 November 2018).

    3. Bin Li, Hailong Wang, Dongzhan Zhou, Zuofu Hu, Huaihao Wu, Song Gao, Yunfei Peng, Lixin Yi, Xiqing Zhang, Yongsheng Wang. Effect of annealing temperature on the electrical properties of InZnLiO thin film transistors. Solid-State Electronics, 2015, 111: 18-21.

    4. Bin Li, Hailong Wang, Dongzhan Zhou, Zuofu Hu, Huaihao Wu, Yunfei Peng, Lixin Yi, Xiqing Zhang, Yongsheng Wang. Preparation and the electrical properties of InZnLiO thin film transistor by radio frequency magnetron sputtering. Materials Letters, 2014, 137: 82-84.

    5. 于威(*), 李彬(#), 郭少刚, 詹小舟, 丁文革, 傅广生. 氢稀释对FTS沉积a-Si:H薄膜结构特性的影响. 光子学报, 2012, 41(03): 307-310.

    专利申请:

  • 1. 李彬, 唐波, 李志华, 张鹏, 余金中. 半导体器件与其制作方法、集成芯片与其制作工艺, 中国, 201810879487.3.

    2. 李彬, 李志华, 唐波, 张鹏, 王桂磊, 杨妍, 刘若男. 半导体器件与其制作方法, 中国, 201811526241.4.

    3. 张希清(*), 李彬, 王海龙, 周东站, 彭云飞, 高耸, 衣立新,  王永生. 一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法, ZL201310195082.5.

    获奖及荣誉: