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  • 姓名： 戴风伟
  • 性别： 男
  • 职称： 副研究员
  • 职务： 
  • 学历： 硕士研究生
  • 电话： 010-82995675
  • 传真： 
  • 电子邮件： daifengwei@ime.ac.cn
  • 所属部门： 封装中心
  • 通讯地址： 北京市朝阳区北土城西路3号

    简　　历：

  • 教育背景

    2004.9---2007.3，北京科技大学，材料学院，材料学专业，工学硕士

    1998.9---2002.7，内蒙古工业大学，材料科学与工程学院，材料科学与技术专业，工学学士
    工作简历

    2012.12-今，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司（双跨），研发部副部长

    2009.08-今，中科院微电子研究所 封装中心，副研究员

    2007.04-2009.08，富士康科技集团 清华-富士康纳米科技研究中心，材料研发工程师

    社会任职：

  • 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司（双跨），研发部副部长

    研究方向：

  • 2.5D/3D TSV 异构集成技术

    承担科研项目情况：

  • 承担国家02重大专项项目，包括“2.5D-TSV晶圆级互连技术（2013ZX02501001）”、“高密度三维集成先导技术研发（2014ZX02501003）”和“新型多种异质芯片SiP集成封装技术工艺开发（2017ZX02315005-004）”，作为课题负责人；

    承担973计划项目，“微凸点均匀性生长的能量梯度影响规律与物质流能量流表征（2015CB057205）”的课题任务，作为技术负责人

    代表论著：

  • 发表学术论文50余篇

    专利申请：

  • 中国专利，57项，授权35项

    美国专利，25项，授权，7项

    获奖及荣誉：

  • 2017年，参与“基于TSV的2.5D/3D封装制造及系统集成技术”，获得中国电子学会科学技术奖二等奖

    2018年，参与“以硅通孔为核心的三维系统集成技术及应用”，获得北京市科学技术奖二等奖
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