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  • 姓名: 洪培真
  • 性别: 女
  • 职称: 副研究员
  • 职务: 
  • 学历: 博士
  • 电话: 
  • 传真: 
  • 电子邮件: hongpeizhen@ime.ac.cn
  • 所属部门: 存储器中心
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

  • 教育背景

    2004~2008   南开大学      微电子学与固体电子学      学士 

    2008~2011   北京大学      微电子学与固体电子学      硕士 

    2014~2020   中国科学院大学中科院微电子研究所              微电子学与固体电子学     博士 

    工作简历 

    2011~2018 中科院微电子所研究实习研究员、助理研究员 

    2014~2018 武汉新芯、长江存储资深工程师 

    2019~至今 中科院微电子所副研究员 

    社会任职:

  • 电子元器件关键材料与技术专委会成员 

    研究方向:

  • 三维存储器工艺与器件 

    新型纳米器件工艺 

    氧化铪基铁电存储器器件与工艺

    承担科研项目情况:

  • 2019~2022,负责中科院青促会项目“三维存储器中高密度低成本的字线台阶结构设计及工艺研究”。 

    2014~2018,参与国家存储器基地建设“先进三维NAND型闪存存储器芯片集成工艺研究及其产业化”。 

    2013~2014,参与02重大专项极大规模集成电路制造装备及成套工艺子课题:体硅FinFET 与关键工艺研究。 

    2011~2014,参与02重大专项极大规模集成电路制造装备及成套工艺子课题:工艺整合及集成技术。

    代表论著:

  • [1]  Peizhen Hong, Zhiliang Xia, Huaxiang Yin, Chunlong Li and Zongliang Huo,A High Density and Low Cost Staircase Scheme for 3D NAND Flash Memory: SDS(Stair Divided Scheme), J. Solid State Sci. Technol. 2019 volume 8, issue10, P567-P572 

    [2]  Peizhen Hong, Zhiguo Zhao, Jun Luo, Zhiliang Xia, Xiaojing Su, Libin Zhang, Chunlong Li, Zongliang Huo, An Improved Dimensional Measurement Method of Staircase Patterns with Higher Precision in 3D NAND[J]. IEEE Access, 2020. 

    [3] Peizhen Hong, Zhiguo Zhao,Chunlong Li, Lingkuan Meng,Yongkui Zhang, Xiaobin He,Yihong Lu , Wenjuan   Xiong, Huangxiang Yin, Huilong Zhu, Junfeng Li, Jiang Yan, Chao Zhao. Finfet gate etch towards 16nm CMOS technolodgy. Proc.of the 225th Electrochemical Society(ECS) Meeting, Orlando,American, 2014. 

    [4] Peizhen Hong, Zhongyang Guo, Zhenchuan Yang, Guizhen Yan. A method to reduce notching effect on the anchors of a microgyroscope . Proc. of the 6th IEEE International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems(MEMS) , Kaohsiung, Taiwan,2011,pp.346-349. 

    [5] Meng Lingkuan, Pezihen Hong, He Xiaobin, et al. Gate patterning in 14 nm and beyond nodes: from planar devices to three dimensional Finfet devices. Applied Surface Science, 2016, 362:483-489. 

    [6] Liang Qian, PeiZhen Hong, Lina.Sun , Guizhen Yan. CMOS compatible Process for Suspended High-Aspect-Ratio Integrated Silicon  Microstructures. Proc. of the 6th IEEE International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems(MEMS) , Kaohsiung, Taiwan,2011,pp.405-408. 

    [7] Qingzhu Zhang, Peizhen Hong, Hushan Cui, et al. A Novel Self-Aligned Source/Drain Contact Technology. Micronanoelectronic Technology, 2014. 

    [8] Xiaolong Ma, Huaxiang Yin, Peizhen Hong, et al. Self-Aligned Fin-On-Oxide (FOO) FinFETs for Improved SCE Immunity and Multi-VTH Operation on Si Substrate[J]. ECS Solid State Letters, 2015, 4(4). 

    [9] Xiaolong Ma, Huaxiang Yin, Peizhen Hong, et al. Gate-All-Around Silicon Nanowire Transistors with channel-last process on bulk Si substrate[J]. IEICE Electronics Express, 2015, 12(7): 20150094-20150094. 

    [10] Changliang Qin , Guilei Wang, Peizhen Hong, et al. Process optimizations to recessed e-SiGe source/drain for performance enhancement in 22nm all-last high-k/metal-gate pMOSFETs[J]. Solid State Electronics, 2016, 123:38-43.

    专利申请:

  • 已授权专利

    1 洪培真,杨俊铖,周小红,夏志良,万先进,霍宗亮;“一种用于3D NAND的核心区层间绝缘氧化层CMP方法”,公开号:CN107731834A 

    2 洪培真,刘藩东,华文宇,夏志良,霍宗亮;3D存储器的蚀刻方法”,公开号:CN107731844A 

    3 洪培真,唐兆云,张高升,苏恒,何佳;“一种三维存储器堆栈结构及其堆叠方法及三维存储器”,公开号:CN106920798A 

    4 洪培真,唐兆云,霍宗亮;“图形测试结构及其制作方法、测量  图形尺寸的方法”,公开号:CN106783659A 

    5 洪培真,徐秋霞,殷华湘,李俊峰,赵超;“形成纳米线阵列的方法”,公开号:CN105742232A  

    6 洪培真,徐秋霞,殷华湘,李俊峰,赵超;“形成纳米线阵列的方法”,公开号:CN105742231A 

    7 洪培真,徐秋霞,殷华湘,李俊峰,赵超;“形成纳米线阵列的方法”,公开号:CN105742239A 

    8 洪培真,马小龙,殷华湘,徐秋霞,李俊峰,赵超; “一种纳米线及阵列的形成方法”,公开号:CN104609360A 

    9 洪培真,殷华湘,徐唯佳,马小龙,徐秋霞,李俊峰,赵超;“形成级联纳米线的方法”,公开号:CN105742153A 

    10,洪培真,杨涛,孟令款,李春龙,李俊峰,赵超;“一种MEMS工艺中的刻蚀方法”,公开号:CN105329846A

    获奖及荣誉:

  • 中国科学院微电子所优秀员工,优秀党务工作者