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  • 姓名: 张青竹
  • 性别: 男
  • 职称: 副研究员
  • 职务: 
  • 学历: 博士
  • 电话: 010-82995723
  • 传真: 
  • 电子邮件: zhangqingzhu@ime.ac.cn
  • 所属部门: 先导中心
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

  • 教育背景

    2016.09-2020.07,北京有色金属研究总院,博士  

    2011.09-2014.07,贵州大学,硕士 

    2007.09-2011.07,湖北经济学院,本科 

    工作简历 

    2020.07-至今,中科院微电子研究所,副研究员; 

    2017.04-2020.06,中科院微电子研究所,助理研究员; 

    2014.07-2017.03,中科院微电子研究所,研究实习员;

    社会任职:

    研究方向:

  • 先进硅器件与集成技术;硅纳米线生物传感器

    承担科研项目情况:

  • [1]       国家自然科学基金委员会,青年科学基金项目,619041945 nm节点以下超薄铪基负电容材料稀土改性和三维架构协同效应研究,2020-01-012022-12-3126万元,在研,主持; 

    [2]       北京市科技委,多栅负电容 MOS 器件和关键材料研究,科技新星计划,2020-10 2023-0940万元,在研,主持; 

    [3]       北方先进工艺研究院有限公司,堆叠纳米片围栅CMOS器件及集成技术研究项目,企业合作横向项目,2021-06 2024-051995万元,在研,参与; 

    [4]       中国科学院,3-1纳米集成电路新器件与先导工艺,先导C预研,2020-01 2022-121100万元,结题,参与; 

    [5]       北京市科技委,新一代信息通信技术,水平堆叠环栅器件研制与新型沟道原型器件研究,2020-01 2021-06500万元,结题,参与; 

    [6]       科技部重大科技专项,5nm 可集成堆叠纳米线和新型 FinFET 集成技术与关键问题,2017-01 2020-121097.25万元,结题,参与; 

    [7]       国家自然科学基金委员会,重大研究计划,超薄ZrO2栅介质NC-FinFET及其可靠性研究,2020-01-012023-12-31300万元,在研,参与; 

    [8]       国家自然科学基金委员会,面上项目,堆叠纳米线围栅器件的辐射损伤机理及在线增强自修复机制研究,2019-01-012022-12-3166万元,在研,参与。

    代表论著:

  • [1]       Zhang, Q.; Gu, J.; Xu, R.; Cao, L.; Li, J.; Wu, Z.; Wang, G.; Yao, J.; Zhang, Z.; Xiang, J.; He, X.; Kong, Z.; Yang, H.; Tian, J.; Xu, G.; Mao, S.; Radamson, H.H.; Yin, H.; Luo, J. Optimization of Structure and Electrical Characteristics for Four-Layer Vertically-Stacked Horizontal Gate-All-Around Si Nanosheets Devices. Nanomaterials, 202111, 646.  

    [2]       Zhang Q., Yin H., Meng L., et al. Novel GAA Si nanowire p-MOSFETs with excellent short-channel effect immunity via an advanced forming process [J]. IEEE Electron Device Letters, 2018, 39(4): 464 - 467.  

    [3]       Zhang Q., Yin H, Luo J, et al. FOI FinFET with ultra-low parasitic resistance enabled by fully metallic source and drain formation on isolated bulk-fin[C]. 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2016: 17.3. 1-17.3. 4. 

    [4]       Zhang Q., Tu H., Yin H., et al. Si nanowire biosensors using a FinFET fabrication process for real time monitoring cellular ion actitivies[C]. 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2018: 29.6. 1-29.6. 4. 

    [5]       Zhang Q., Tu H, Yin H, et al. Influence of the hard masks profiles on formation of nanometer Si scalloped fins arrays[J]. Microelectronic Engineering, 2018, 198: 48-54.  

    [6]       Zhang Q., Tu H, Gu S, et al. Influence of Rapid Thermal Annealing on Ge-Si Interdiffusion in Epitaxial Multilayer Ge0.3Si0.7/Si Superlattices with Various GeSi Thicknesses[J]. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 7(11): P671-P676. 

    [7]       Zhang Q., Zhang Z., Tu H. et. al. Investigation of Nanoscale Fully Isolated SiNW Channel Fabrication for a FinFET Replacement Metal Gate[J]. Materials Science in Semiconductor Processing2021121 (2021) :105434-1 -105434-8. 

    [8]       Zhang N, Zhang Z, Zhang Q*, et al. O2 Plasma Treated Biosensor for Enhancing Detection Sensitivity of Sulfadiazine in a High-к HfO2 Coated Silicon Nanowire Array[J]. Sensors and Actuators B: Chemical, 2019: 127464.  

    [9]       Zhang Z., Xu G., Zhang Q.*, et al. FinFET with Improved Subthreshold Swing and Drain Current Using 3-nm Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 [J]. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(3): 367-370. 

    [10]      Yang L., Zhang Q. *, Huang Y. et al. Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs with On-state Bias Irradiation [J]. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2018, 65(8), pp.1503-1510.

    专利申请:

  • 已授权专利

    [1]       张青竹,顾杰,张兆浩,殷华湘. 改善寄生沟道效应的NS-FET及其制备方法[P]. 中国专利:CN112349591A. 

    [2]       Qingzhu Zhang, Huaxiang Yin, Jiang Yan et. al. METHODS FOR FORMING METAL SILICIDE[P]. USA patent: US1009691B2. 

    [3]       张青竹,殷华湘,闫江,李俊峰,杨涛,刘金彪,徐秋霞. 一种栅极及其形成方法[P]. 中国专利:CN105990403A. 

    [4]       张青竹, 殷华湘, 闫江. 一种形成鳍的方法及结构[P]. 中国专利:CN106531631A. 

    [5]       张青竹, 殷华湘, 闫江, 吴振华, 周章渝, 秦长亮, 张严波, 张永奎. 半导体器件及其制作方法[P]. 中国专利:CN107068769A. 

    [6]       张青竹, 殷华湘, 张兆浩, 李俊杰, 徐忍忍. 环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法[P]. 中国专利:CN108231584A. 

    [7]       张青竹, 徐忍忍, 殷华湘, 张兆浩. 隧穿场效应晶体管及其制备方法[P]. 中国专利:CN108258048A. 

    [8]       张青竹, 殷华湘, 闫江. 半导体器件制造方法[P]. 中国专利:CN106601617A. 

    [9]       张青竹, 殷华湘, 闫江. 一种形成鳍的方法及结构[P]. 中国专利:CN106531631B. 

    [10]      张青竹, 张兆浩, 魏千惠, 屠海令, 殷华湘, 魏峰, 赵鸿滨, 王文武. 一种稀土掺杂铪基铁电材料、制备方法及半导体器件[P]. 中国专利: CN110527978A. 

    获奖及荣誉:

  • 1. 北京市科技新星计划,2020年; 

    2. 中国科学院青年促进会会员,2019年; 

    3. 中国电子学会优秀博士论文, 2020年; 

    4. 微电子所“先进工作者”, 2016年;