• 姓名: 唐波
  • 性别: 男
  • 职称: 正高级工程师
  • 职务: 
  • 学历: 本科
  • 电话: 010-82995876
  • 传真: 
  • 电子邮件: tangbo@ime.ac.cn
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
  • 邮政编码: 100029
  • 所属部门: 先导中心光子器件与集成技术部
    简  历:
  • 教育背景
    2000.9-2004.7 西安交通大学 微电子 学士
    工作简历
    2010.4-至今 中科院微电子所先导中心,主要负责22nm HKMG gate last工艺、14-16nm FDSOI 工艺和硅基光电工艺的开发。
    2004.7-2010.3 华润上华科技股份有限公司工艺整合部课长,主要负责0.18μm以上mixed mode、logic、BCD、power MOS等产品工艺开发。

    社会任职:
  •  
    研究方向:
  • 硅光子技术、CMOS先进技术

    承担科研项目情况:
  •  
    代表论著:
  • 1. B. Li, B. Tang, P. Zhang, J. Yu, X. Liu, and Z. Li, "Optimized fabrication of wafer-level Si waveguides based on 200-mm CMOS platform," Optik 172, 777-782 (2018).

    2. Longda Zhou, Bo Tang, Hong Yang, Hao Xu, Yongliang Li, Eddy Simoen, Huaxiang Yin, Huilong Zhu, Chao Zhao, Wenwu Wang, Dapeng Chen and Tianchun Ye,“Physical Mechanism Underlying the Time Exponent Shift in the Ultra-fast NBTI of High-k/Metal gated pCMOSFETs”,International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA) 2018.

    3. Longda Zhou, Bo Tang, Hao Xu, Qianqian Liu, Hong Yang, Jing Zhang, Eddy Simoen, Huaxiang Yin, Huilong Zhu, Chao Zhao, Dapeng Chen and Wenwu Wang, “The Impact of Electron Tunneling on NBTI Degradation in Ultra- thin p-MOSFETs with Sub-1nm EOT”, ADMETA 2018.

    获奖及荣誉:
  • 2014年中国科学院杰出科技成就奖

    专利:
  • 1. 半导体器件的制造方法 – 授权号102543748B

    2. 混合线条的制造方法 –授权号 102983067B

    3. 混合线条的制造方法 –授权号102983066B

    4. 一种混合线条的制造方法 – 授权号103187247B

    5. 半导体器件及其制造方法 –授权号 105304629B