专利名称: MOSFET的制造方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201210407433.X
申请日期: 2012-10-23
专利号: 201210407433.X
第一发明人: 尹海洲;秦长亮;朱慧珑
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: 201210407433.X
专利摘要:
其它备注: 十室