专利名称: 半导体结构及其制造方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201210397791.7
申请日期: 2012-10-18
专利号: CN201210397791.7
第一发明人: 尹海洲;蒋葳;朱慧珑
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: CN201210397791.7
专利摘要:
其它备注: 十室