专利名称: FinFET鳍状结构的制造方法
专利类别: 国际专利
申请号: PCT/CN2012/083475
申请日期: 2012-10-25
专利号: 9,343,530
第一发明人: 尹海洲;蒋葳;朱慧珑
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: 9,343,530
专利摘要:
其它备注: 十室