专利名称: 半导体结构及其制造方法
专利类别: 国际专利
申请号: PCT/CN2012/085353
申请日期: 2012-11-27
专利号: 9,401,425
第一发明人: 朱慧珑;尹海洲;骆志炯
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: 9,401,425
专利摘要:
其它备注: 十室