专利名称: 半导体器件制造方法
专利类别: 国际专利
申请号: 14/943,706
申请日期: 2015-11-17
专利号: 9,412,657
第一发明人: 钟汇才;赵超;朱慧珑
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: 9,412,657
专利摘要:
其它备注: 先导中心