收藏本站  |  English  |  联系我们  |  中国科学院
  首页 所况介绍  
新闻动态
 
 
 
 
 
 
 
 
 
现在位置:首页 > 新闻动态 > 科研动态
 

国家重点研发计划“新型高密度存储材料与器件”项目启动会在微电子所召开
2017-10-20 | 编辑:微电子重点实验室 张康玮 | 【 【打印】【关闭】
 

  1017日,国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“新型高密度存储材料与器件”项目启动会在微电子所召开。科技部高技术研发中心材料处处长史冬梅、主管杨斌,微电子所所长叶甜春,中科院院士、微电子重点实验室主任刘明,项目责任专家邓涛教授,项目咨询专家周彬教授、石瑛教授、潘峰教授、徐晨教授、宋志棠研究员以及项目组科研骨干参加会议。

  会上,叶甜春和刘明先后致辞,对科技部高技术研发中心和专家组成员的支持表示感谢。叶甜春对当前存储器领域的形势和现状进行了总结和展望,表示要集中力量围绕关键技术开展攻关,实现关键技术的不断突破。项目负责人、微电子所研究员刘琦汇报了项目总体情况和实施方案。杨斌从项目部署、管理方案、实施过程中的问题和原因等几个方面对项目的管理工作进行了详细介绍。与会专家对项目的布局给予积极评价,并对项目的具体实施提出了宝贵意见。叶甜春代表微电子所向项目咨询专家颁发了聘书。

  “新型高密度存储材料与器件”面向大数据时代对海量数据存储和处理的需求,研究相变、阻变、铁电等新型存储材料和器件的设计与制备关键技术,发展用于高密度存储阵列的选通器件及三维集成技术,研制兼具信息存储、逻辑、运算、编解码等多功能的新型原型器件以及柔性阻变存储器原型器件,将为我国发展具有自主知识产权的新型高性能存储材料与器件奠定技术基础。

会议现场

与会专家合 

 

附件下载:
    中国科学院微电子研究所版权所有 邮编:100029
单位地址:北京市朝阳区北土城西路3号,电子邮件:webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号