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32层三维存储器荣获集成电路产业技术创新战略联盟创新奖
2018-03-02 | 编辑:科技处 | 【 【打印】【关闭】
 

  2018年3月1日,集成电路产业技术创新战略联盟在北京举行联盟大会暨成果交流会。由长江存储科技有限责任公司和中国科学院微电子研究所联合完成的“64Gb 32层三维存储器集成工艺及芯片设计技术”荣获联盟技术创新奖。 

  集成电路产业技术创新战略联盟于2017年3月成立,由国内集成电路领域62家龙头企业、著名高校、研究院所和半导体行业社会组织等共同发起。联盟以国家战略为指引,目标是推动产业技术水平的快速提升,推动我国集成电路产业技术创新和发展。 

  在32层三维存储器技术研发过程中,长江存储和中科院微电子所共同组成的新型存储器联合研发团队在3D NAND的工艺集成、存储器件、电路设计等方面研发出多项创新技术,成功解决新型三维存储器的工艺结构、器件可靠性、读写干扰抑制等技术难题。该芯片存储密度等效于16nm技术节点的2D NAND技术,居于世界前沿水平。 

  该产品芯片的研发成功,标志着我国在闪存存储领域完成了自主知识产权的整套技术开发,为国家存储器基地实现存储芯片量产提供了技术保障,也将对我国集成电路产业链产生牵引和推动作用。该项目同时创造了国内企业和科研院所联合创新、突破关键技术的成功案例,为集成电路产研合作模式提供了新的样板。 

 

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