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成果展示

微电子所在石墨烯晶体管物理模型及其电路应用研究方面取得进展

  近日,微电子所在石墨烯晶体管物理模型及其电路应用研究方面取得进展。 

  微电子器件与集成技术重点实验室在中国科学院、国家自然科学基金委和科技部的支持下,长期致力于分子电子学基本问题的研究,基于半经典的玻尔兹曼传输理论和热激发传输理论,在国际上首次提出了针对石墨烯晶体管的连续物理模型。该模型涵盖了长程和短程散射机制,可以准确描述器件的温度特性,并与实验数据保持较高的吻合度。该模型可通过VA编程嵌入商业化的CAD软件中,用于准确描述器件连续的交流和直流特性,使电路级预测和射频电路设计预测成为可能。相关研究被收录于IEDM., Washington, DCDecember 7-9, 2015 

 

 基于表面势适用于石墨烯晶体管的物理模型及其在电路中的应用