• 返回微电子所
中国科学院微电子所
砥砺前行六十载 自主创新铸未来
中国科学院微电子所建所60周年
  • 首  页

  • 所长致辞

  • 工作动态

  • 活动安排

  • 历史拾贝

  • 成果展示

  • 图 片 库

  • 所友寄语

建所60周年

  • 所长致辞
  • 工作动态
  • 活动安排
  • 历史拾贝
  • 成果展示
  • 图片库
  • 所友寄语
     现在位置:所首页 >> 建所60周年 >>  成果展示

成果展示

  • 我所阻变存储器器件研究取得最新进展2008-04-30
  • 我所新型微波功率放大器模块研究再获突破2008-05-26
  • 我所CMOS工艺线顺利交付第一批商业产品2008-06-16
  • 我所研制成功面向3毫米波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管2008-08-05
  • 微电子所CMOS超宽带射频前端关键芯片研制取得突破性进展2008-08-05
  • 我国首个ZnO纳米棒场效应晶体管在我所研制成功2008-09-12
  • 我所InP DHBT 截止频率再创国内新高2008-11-24
  • 我所“微电子器件与集成技术重点实验室”升级为院重点实验室2009-01-16
  • 微电子所荣获国家科学技术进步二等奖2009-03-04
  • 微电子所在有机电子器件研究方面取得新进展2009-05-31
  • 微电子所在纳米晶浮栅存储器领域取得最新进展2009-05-31
  • 微电子所阻变存储器最新研究成果被ESSDER会议录用2009-05-31
              
    共16页   首页上5页上一页1112131415下一页下5页尾页
  • 中国科学院微电子研究所版权所有 邮编:100029
    单位地址:北京市朝阳区北土城西路3号,电子邮件:webadmin@ime.ac.cn
    京公网安备110402500036号
  • 中国科学院微电子研究所版权所有 邮编:100029
    单位地址:北京市朝阳区北土城西路3号,电子邮件:webadmin@ime.ac.cn
    京公网安备110402500036号