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历史拾贝

中国科学院微电子所阶段(2003年至今)之二

  2008年

  1月8日,微电子所作为第二单位完成的项目“中高频声表面波关键材料及技术研究”获2007年度国家技术发明二等奖。同年,该项目又获得中科院奖励。

  6月1日、6月4日,微电子所选派两批科研人员赴汶川抗震灾区救灾;6月27日,叶甜春所长荣获“中央国家机关抗震救灾优秀共产党员”称号。

 

  9月4日—5日,在中国无线个域网标准组第十一次工作会议上,微电子所针对OFDM超宽带物理信道划分的提案从众多方案中脱颖而出,最终被标准组完全采纳,成为即将出台的中国超宽带标准的物理信道方案。该提案被采纳奠定了微电子所UWB研究在国内的领先地位。

  12月9日,中科院副院长阴和俊到微电子所调研指导工作。

  微电子所研制成功国内首个256位分子存储器电路,为我国分子电路的高集成度、高速度和低功耗的实现奠定重要基础。

  微电子所研制成功国内首款基于民用波段的全球导航多模式射频接收芯片。

多模式导航射频芯片

  微电子所研制成功国内首个ZnO纳米棒场效应晶体管,为新型纳米器件及其应用开辟全新研究领域。

  微电子所成功申请中科院微电子器件与集成技术重点实验室,建立本所第一个中科院重点实验室。

 

  2009年

  1月9日,由微电子所作为合作单位之一承担完成的“90纳米—65纳米极大规模集成电路大生产关键技术研究”获2008年国家科学技术进步奖二等奖。

  3月24日,中科院副院长江绵恒视察微电子所。

  由微电子所作为合作单位之一,承担完成的“100纳米高密度等离子刻蚀机研发与产业化”项目获得2008年北京市科技进步一等奖。

  微电子所研制实现4GHz4-bit芯片。该芯片的设计成功,对于提升我国在该领域的技术水平具有重要意义。

 

  2009年

  11月12日,中科院、江苏省、无锡市签署共建“中国物联网研究发展中心”合作协议,微电子所与无锡合作共建的中科微电子工业技术研究院纳入中心整体框架。该中心于12月30日获江苏省编办批复为正局级科研事业单位,于2010年11月20日在无锡传感网创新园举行揭牌仪式。

  2010年

  7月,龙芯CPU第一款国产化封装产品在微电子所取得成功,标志着我国国产高端CPU芯片开始走入封装完全国产化时代。

  一款用于计算机多CPU高速互连的高性能专用交换芯片在微电子研究所封装成功,在国内首次实现此类高端芯片完全国产化的高密度封装。

多CPU高速互连的高性能专用交换芯片

  由微电子所设计研发的15-43A/1200VIGBT系列产品流片成功,各项参数均达设计要求,成为国内首款自主研制可产业化的IGBT(绝缘栅双极晶体管)产品,部分性能优于国外同类产品。

 

  微电子研究所系统封装研究室研制出国内第一款全光QSFP收发一体光缆,其速率达到4×10Gbps,填补了国内空白。

  “微纳结构‘自上而下’制备核心技术与集成应用”项目获2010年北京市科学技术奖一等奖。

  国家地震灾害紧急救援队向微电子所赠送“宽带无线技术领先,科技救灾创新为民”锦旗,对微电子所在青海玉树抗震救灾期间提供的宽带无线通信服务表示衷心感谢。