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科研动态

微电子所荣获国家科学技术进步二等奖

稿件来源: 发布时间:2009-03-04

  近日,由微电子所作为合作单位之一承担完成的“90纳米—65纳米极大规模集成电路大生产关键技术研究”获2008年国家科学技术进步奖二等奖。微电子所徐秋霞研究员作为项目主要完成人之一,也荣获该奖项 。

  国家863项目“90纳米—65纳米极大规模集成电路大生产关键技术研究”,由北京大学、中芯国际集成电路制造有限公司、浙江大学、西安电子科技大学、中国科学院微电子研究所、清华大学6家单位合作完成。成功开发了90nm大生产核心技术,包括微细加工、Co硅化物浅结、Cu互联/低K、器件模型、光刻模型和版图的可制造性、可靠性分析和评测等技术,并成功地用于12英寸大生产中,建立了开放式的90nmCMOS大生产关键工艺技术平台,使我国成为掌握当前国际最先进集成电路大生产工艺制造技术的少数国家和地区之一,为我国集成电路设计、制造、专用设备和材料技术的研发,提供了一个产学研相结合的技术平台,对我国集成电路产业的发展具有重要意义。该项目曾获2007年教育部科学技术一等奖。

  微电子所徐秋霞研究员作为该课题主要完成人之一,圆满完成了该课题中的子课题“70纳米CMOS关键技术及器件研究”的任务,她和她的科研团队在65纳米及以下技术代若干关键技术和新结构器件研发方面(如非平面体硅CMOS FinFET 新器件结构及其集成技术、凹槽平面双栅MOS器件新结构及其制备、叠层栅介质/金属栅工艺及其集成技术)取得多项创新成果,获发明专利授权5项,在《IEEE TED》、《半导体学报》等学术刊物发表论文16篇,国际会议发表论文6篇。

  

  

 

  

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