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发现科学之美

纳米蘑菇

稿件来源: 责任编辑: 发布时间:2020-08-06


 

  • 作者信息:先导中心  王桂磊 

  • 图片描述:本作品显示的是用TEM电镜检测分析的在FinFET源漏工艺中,SiGe应变源漏的三维选择性外延生长。左图中Si Fin的顶部经过高温烘烤后发生了Si损失和流动,选择性外延生长的单晶SiGe并不对称分布;右图是在生长过程中保持了Si Fin顶部(宽度约10 nm)的形貌,选择性生长的SiGe对称分布在Fin的两边。从整体上看,Si上生长的SiGe就像是雨后从地下生长出来的“蘑菇”,焕发出生机和活力,不过这些“蘑菇”的尺寸是纳米级的。 

  • 实验方法:上图的SiGe是通过减压化学气相沉积设备选择性外延生长制备,在Fin上生长的SiGe呈三维形状,SiO2上面没有多晶的SiGe的生长。 

  • 样品制备型号:FIB FEI Helios 

  • TEM拍摄设备名称型号:FEI Tecnai G2 F20 

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