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日前,微电子所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队在阻变存储器( RRAM )三维垂直交叉阵列研究领域取得了突破性进展,提出了自对准高性能自选通阻变存储器结构,为高密度、低成本三维垂直交叉阵列的制备提供了解决方案。以题为“ Fully CMOS compatible 3D vertical RRAM with self-aligned self-selective cellenabling sub-5nm scaling ” (通讯作者:吕杭炳、刘明)的论文被2016 Symposia on VLSI Technology and Circuits (简称VLSI国际研讨会...
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