作者信息：重点实验室  刘宇 

图片描述：本作品显示的是在硅片表面外延生长SiN,在晶格失配及应力的作用下SiN沿<110>方向随机断裂，在经过湿法腐蚀后可以清晰地看到薄膜断裂的线条，图片展现了在错综复杂中同时又井然有序的自然之美。每次看到此图都能提醒我们，在科研工作中要懂得从纷乱复杂的现象中发现自然的秩序，发现真正的科学之美。 

实验方法：利用LPCVD在Si<100>面上生长SiN薄膜，控制工艺参数使薄膜产生缺陷，再用KOH溶液进行腐蚀使缺陷放大至肉眼可见。 

成像设备：苹果手机