全新1200V M1全碳化硅MOSFET 2-PACK模块基于平面技术打造，适用于18-20 V范围内的驱动电压，易于使用负栅极电压驱动。与沟槽 MOSFET 相比，较大的芯片可降低热阻，可以在相同的工作温度下降低芯片温度。

　　NXH010P120MNF 配置为2-PACK 半桥结构，是采用F1封装的10 mohm器件，而 NXH006P120MNF2 是采用 F2 封装的6 mohm 器件。这些封装具有压配合引脚，适用于工业应用，并且嵌入式负温度系数（NTC）热敏电阻有助于温度监控。

　　作为安森美半导体电动汽车充电生态系统的一部分，新型SiC MOSFET 模块旨在驱动器解决方案一起使用，如NCD5700x 器件。最近推出的NCD57252双通道隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器提供 5 kV 电流隔离，可配置为双低侧、双高侧或半桥操作。

　　NCD57252采用小型 SOIC-16 宽体封装，接受逻辑电平输入（3.3 V、5 V 和 15 V）。由于典型传播延迟为60ns，大电流器件适用于高速操作。

　　安森美半导体的碳化硅MOSFET与全新模块和栅极驱动器形成互补，与类似的硅器件相比，该器件具有更优良的开关性能和散热性能，从而提高效率、提高功率密度、改善电磁干扰（EMI）并减小系统尺寸和重量。

　　最近发布的 650 V 碳化硅 MOSFET 采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，为（RDS(on)*area）提供一流的品质因数（FoM）。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1 和 NTH4L015N065SC等系列器件为D2PAK7L / TO247 封装的 MOSFET 提供市场上最低的 RDS(on)。

　　1200 V 和 900 V N 沟道 SiC MOSFET 小芯片尺寸较小，可降低器件电容和栅极电荷，当在电动汽车充电器要求的高频下运行时，可以降低开关损耗。