中国科学院微电子研究所半导体功率器件全参数实验室组建于2008年，该实验室从国外引进了目前世界最先进大功率器件全套参数测试系统，建立了能完成功率半导体器件全参数测试的标准化平台。目前已具备wafer级产品静态参数的自动测试能力，功率半导体器件多种封装形式全参数综合快速测试能力。在多年大功率半导体器件研发过程中积累了丰富的理论经验，掌握了功率器件产品测试分析关键技术，培育了一批掌握测试技术理论、熟悉测试标准、精通测试实践的专业人才队伍。可完成各类功率器件测试分析需求，包括功率MOS、IGBT、二极管、三极管等器件的全参数测试工作。
设备一：静态参数测试系统
1、 仪器介绍
w 可测三极管、二极管、MOSFET、IGBT等功率器件静态参数
w 测试功率器件参数：击穿电压、阈值、导通电阻、栅极漏电、漏极漏电、跨导、脉冲电流、源漏二极管正向压降
w 测试能力1200V/200A，测试精度 1mV/3pA；电阻1mΩ~999.9MΩ；
w 四位数据精度；测试数据可保存打印
w 支持各种功率器件封装形式
2、 特点和特色
静态参数测试系统是功率器件分析不可缺少的测试设备。该进口静态参数测试系统就是专门针对功率器件在大电压、大电流下准确测量毫欧姆级电阻、皮安级电流必须使用的专业测试系统。该设备为TESEC公司生产的1.2Kv、200A半导体分立器件静态参数测试设备，包括测试主机、高压接口箱、200A电流源、高压大电流测试站（含适配器）、常规精度检测仪及一些小配件等，是一种为分析功率器件直流静态参数所必备的高性能测试系统。它的特点是最大可提供1200V电压，200A电流；测试精度可达10mV/3pA,测试电阻范围1mΩ～999.9MΩ。可以准确快速测试功率的直流静态参数。
3、 图片说明
设备二：动态参数测试系统
1、 仪器介绍
w 测试功率MOSFET、IGBT动态开关参数
w 测试功率MOSFET参数：开启延迟td(on)、关段延迟td(off)、上升时间tr、下降时间tf；二极管反向恢复时间Trr、反向恢复电荷Qrr参数
w 测试能力1500V/300A，测试精度 2nS
w 可测阻性负载、感性负载开关时间参数
w 可测二极管反向恢复时间参数
w 支持各种功率器件封装形式
2、 特点和特色
动态开关参数测试系统是功率半导体器件不可缺少的分析测试设备。动态开关参数测试系统就是专门针对功率器件在大电压、大电流下准确测量纳安级开关时间必须使用的专业测试系统。该设备为TESEC公司生产的半导体分立器件动态开关参数测试设备，包括测试主机、开关时间参数测试接口箱、反向恢复时间测试接口箱及一些小配件等，是一种为测试功率器件动态时间参数所必备的测试系统。它的特点是最大可提供1500V电压，300A电流；采用原装高精度示波器测量波形，具备短路电流过流保护功能。时间测试精度可达2nS,可以准确快速测试功率晶体管的动态时间参数。
3、 图片说明
设备三：热阻测试系统
1、 仪器介绍
热阻参数测试系统
w 测试功率三极管、功率MOS器件、IGBT热阻参数
w 测试能力200V/50A；脉冲时间0~9.99S
w 评估器件安全工作区支持各种功率器件封装形式。
2、 特点和特色
功率半导体器件的热阻测试是反映产品封装后散热性能等重要参数，功率晶体管工作在大电流状态下其散热能力决定了器件的使用可靠性，散热能力不好，即使开始时晶体管的各项参数合格，在工作一段时间后由于结温上升超过额定范围，会导致器件失效或烧毁，从而导致整个电子设备的失效，其后果不堪设想。必须对功率晶体管的热阻特性进行考核。
热阻测试仪就是专门考核功率器件热阻特性的专业测试系统。该设备为TESEC公司生产的半导体分立器件热阻参数测试仪，包括热阻测试主机、参数测试接口箱（含适配器）及一些小配件等，是一种为测试功率器件热阻参数所必备的测试系统。它的特点是最大可提供200V电压，50A电流，信号可加到最大9.99S，具备短路电流过流保护功能。可以有效测试功率晶体管的热阻参数，分析产品安全工作区。
3、 图片说明
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