| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| PMOS器件叠层结构的制备和栅功函数调节方法 | 徐秋霞，李永亮; | PCT/CN2011/082538 | 2011-11-21 |
| 金属性纳米管去除方法 | 朱慧珑，骆志炯，尹海洲; | PCT/CN2011/082533 | 2011-11-21 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑，尹海洲，骆志炯; | PCT/CN2011/082413 | 2011-11-18 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑，尹海洲，骆志炯; | PCT/CN2011/082929 | 2011-11-25 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑，骆志炯，尹海洲; | PCT/CN2011/082930 | 2011-11-25 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑，尹海洲，骆志炯; | PCT/CN2011/082399 | 2011-11-18 |
| 受控横向刻蚀方法 | 朱慧珑，骆志炯，尹海洲; | PPCT/CN2011/082703 | 2011-11-23 |
| SRAM单元及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎; | PCT/CN2011/082519 | 2011-11-21 |
| SRAM单元及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎; | PCT/CN2011/082700 | 2011-11-23 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑，许淼，梁擎擎; | PCT/CN2011/082424 | 2011-11-18 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎，尹海洲，骆志炯; | PCT/CN2011/082415 | 2011-11-18 |
| MOSFET及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎，尹海洲，骆志炯; | PCT/CN2011/082417 | 2011-11-18 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎，骆志炯，尹海洲; | PCT/CN2011/082396 | 2011-11-18 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑，梁擎擎，骆志炯，尹海洲; | PCT/CN2011/082404 | 2011-11-18 |
| 半导体器件 | 梁擎擎，许淼，朱慧珑，钟汇才; | PCT/CN2011/082425 | 2011-11-18 |
科研产出