中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）的前身——原中国科学院109厂成立于1958年。1986年，109厂与中国科学院半导体研究所、计算技术研究所有关研制大规模集成电路部分合并为中国科学院微电子中心。2003年9月，正式更名为中国科学院微电子研究所。
微电子所发展目标是：全方位开放合作，引领中国集成电路技术创新，推动产业发展；致力于核心知识产权创新，成为中国微电子领域基础性、前瞻性研究的创新中心和“产学研用”核心基地；推进先进技术的应用和产品孵化，成为对产业技术发展具有重大影响的创新与服务平台；加强人才培养，成为高素质产业创新人才和优秀工程师的培养基地。
微电子所主要研究领域包括：核心电子器件产品与技术、高端通用芯片产品与技术、面向产业的公共技术创新平台、集成电路核心技术与先导工艺技术和纳电子基础前沿。是国家集成电路制造领域前瞻性先导技术研发的牵头组织单位，中国科学院物联网研究发展中心、中国科学院EDA中心等院级创新平台的依托单位。
2012年，微电子所开始全面实施“十二五”规划，贯彻落实科学院“创新2020”战略目标，提出要“在国家集成电路产业链建设与战略性新兴产业发展中寻找定位”、“在面向世界前沿的微电子技术创新中寻找突破点”。着力实现三个重大突破（集成电路先导技术、物联网关键技术与示范工程等）和五个重点培育方向（高端通用芯片与设计新技术、低成本低功耗信息器件与系统集成、基于新材料的器件集成与功能融合、绿色微电子新技术等）。全面推进精细化管理，进行管理模式、科研体系、评价体系等方面的积极探索。
微电子所设有11个研究部门，包括硅器件与集成技术研究室、专用集成电路与系统研究室、纳米加工与新器件集成技术研究室、微波器件与集成电路研究室、通信与多媒体SoC研究室、电子系统总体技术研究室、电子设计平台与共性技术研究室、微电子设备技术研究室、系统封装技术研究室、集成电路先导工艺研发中心和射频集成电路研究室。设有3个重大行业技术支撑的研究中心和和2个从事前沿基础研究的重点实验室（中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室和系统芯片(SoC)设计重点实验室）。
微电子所设有电子科学与技术一级学科，下设微电子学与固体电子学二级学科，设有硕士、博士研究生培养点，并设有电子科学与技术一级学科博士后流动站，共有在学研究生338人（其中硕士生235人、博士生103人）、在站博士后12人。2011年，“微电子学与固体电子学”学科获批中国科学院重点学科，并成为全国首批“工程博士”试点单位。
2011年，微电子所共有在研项目358项（新增项目89项）。其中，国家重点基础研究发展计划（973）项目2项、课题26项（新增7项），中国高技术研究发展计划（863）项目22项（新增3项）；国家自然科学基金重大项目1项、重点项目3项、面上项目6项（新增3项）；重要方向项目16项（新增2项），国际合作项目1项，院地合作项目7项。
2011年，微电子所取得的主要成果有：（1）研制成功国内首款高可靠功率VDMOS晶体管系列产品。（2）采用微机械剥离方法、SiC外延生长法和化学气相淀积(CVD)法生长出新型石墨烯材料，成功研制出高性能石墨烯电子器件，器件最高截止频率达到18GHz，达到国内石墨烯电子器件的最高水平。（3）打造“一站式”高可靠ASIC服务平台，在集成电路设计过程的各个层面和阶段进行加固设计手段的介入，高效、快速满足复杂、高性能、高可靠电子器件的设计需求。（4）基于原位显微探测技术，成功获得导电细丝生长和破灭的动态过程，建立了细丝生长/破灭的动力学模型，获得了Advanced Materials审稿人高度评价，被认为是“本领域的重要发现”。（5）完成了“航芯5号”的原型机开发。（6）在低功耗无线传感器网络核心芯片及片上系统研发与产业化项目研究上取得突破，自主研制的低功耗和高性能两款SiP芯片组成的无线传感网通过了相关标准测试。（7）基于宏力130nm工艺研制业界首款嵌入式高速闪存IP(eFlash IP)自动硅编译器并通过ATE测试，并首次提出MSS（Multi-Sector-Size）自动硅编译技术。（8）02专项项目“32nm 以下设备关键技术研究和创新设备技术探索”取得重大进展，突破了等离子体浸没注入、激光退火等八种新原理装备的核心技术。（9）发起中国“硅穿孔（TSV）联合体”，并启动第一期攻关项目“TSV转接板及其集成技术”。（10）在22纳米技术代CMOS器件集成技术研究中，实现了双高K介质/双金属栅器件集成，优化了器件性能。（11）研制成功6—9GHz超宽带射频芯片组和搭建出射频模块，完成了首个符合中国标准和频谱规划的超宽带演示系统，成果被推荐列入《“十一五”科技成果汇编》。
2011年，微电子所获专利受理1048项，其中发明专利994项，实用新型48项，外观设计专利6项；获专利授权117项，其中发明专利101项，实用新型15项，外观设计专利1项。共发表论文266篇，其中SCI收录87篇，EI收录92篇，影响因子总数192.3558。共发表专著2部。
作为我国第一家网络化的电子设计公共服务平台，2011年，中国科学院EDA中心各项工作稳步推进：在线服务体系上线并正式面向用户使用；软件工具平台累计为院内14家会员单位的多个科研课题组提供服务超过百万小时，自主开发了“芯片设计共享计算与数据管理平台”，极大地提高了用户单位的软硬件资源使用率和研发效率，降低了研发成本；多项目晶圆（MPW）服务交付百余张大圆片，搭载芯片项目百余个，合作代工厂增至10家；封装服务交付芯片四万多颗；PCB服务开展技术支持80余次；SoC/IP服务为院内单位提供技术支持200余次，获得课题专家组的一致好评；开展工具培训达四百多学时，为院属单位提供培训服务，学员满意度达到98%；分中心扩展至10家，服务网络辐射全国；已与11家单位建立联合实验室，联合科技部8个产业化基地形成产学研用联盟，进行国产EDA工具推广及测试工作；在“中关村开放实验室”挂牌两周年之际顺利通过评估，标志着EDA中心面向高新技术企业提供服务、承担国家和北京市重大项目、完善科技平台、创制知识产权和开展科技交流等工作迈上新台阶。
2010年10月中国科学院正式批准成立“中国科学院物联网研究发展中心”，纳入“创新2020”建设规划，作为全院“战略高技术中心”之一给予重点支持，依托单位为微电子所。截至2011年底，中心共有5个管理支撑部门及16个非法人研究单元，员工总数707人，其中体系内在册人员221人、独立法人企业486人。共招收62名中科院全日制联合培养硕士研究生及34名在职工程硕士研究生。江苏中科物联网科技创业投资有限公司作为中心的产业孵化和资本运营平台，依托中心和中科院的科研实力和品牌影响力，在业界已经获得了一定的知名度和同行的认可，目前已经参股18家公司，2011年完成9个投资项目，新增社会化投资项目7项。经过近2年的筹备期建设，中心初步完成了从筹建到全面组织实施的阶段。
微电子所院地合作工作以“企业为主体、市场为导向、产学研结合”为方针，贯彻“全方位开放、科技成果转移转化前移”的理念，以“务实、求真”的态度，充分把握机遇，整合多方资源，有计划、有步骤的开展工作，取得了丰硕的成果。
微电子所积极引进资本和管理团队，与新疆西北星信息技术有限责任公司共同出资设立了无锡中科西北星科技有限公司，与惠州市德赛工业发展有限公司、北京芯奇迹科技发展有限公司共同出资设立了深圳市德赛微电子技术有限公司，完成了向苏州云芯微电子科技有限公司增资。
根据地方经济发展需求，2011年，微电子所分别与昆山、无锡、上海、株洲、济南、深圳等地合作共建“中国科学院微电子研究所昆山分所”、“中科物联自动识别技术研究院”、“中科华天西钛先进封装联合实验室”、“CIS联合实验室”、“新型电力电子器件联合研发中心”、“物联网研究应用联合实验室”、“中国科学院微电子研究所奥其斯农业与环境物联网应用技术研发中心”，吸引社会和地方投资9538万元。
为加强与产业界的合作交流，微电子所分别与天水华天科技股份有限公司、株洲南车公司、山东省科学院、佛山市蓝剑电子有限公司等单位签署了合作协议，以建立联合实验室、技术联合研发等方式加强与重点行业、龙头企业合作，推动科技成果转移转化。
微电子所积极参与地方科技建设，2011年承担广东省中科院全面战略合作专项和广东省战略性新兴产业项目各1项、湖北省中科院科技合作项目1项、国家新型电力电子器件产业化专项项目1项；组团参加上海、佛山、天津、济南、青岛、杭州等地的产学研洽谈会，深入了解地方技术需求，攻克技术难题，促进地方经济发展。
截至2011年底，微电子所对外合作共建机构共有43个（新增高科技公司3家、联合实验室6家），其中分部/分所3个、公司18家、联合实验室22家。
2011年，微电子所共接待国外专家来访和学术交流24个团组共61人，派遣出国访问、讲学、交流56个团组共100人次；聘任国外名誉和客座研究员10人。
微电子所是全国半导体设备与材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会秘书处、全国纳米技术标准化技术委员会微纳加工技术工作组秘书处、北京电子学会半导体专业技术委员会制版（光掩模制造）分技术委员会秘书处挂靠单位。
所况介绍