2022年年鉴

　　中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）的前身——原中国科学院109厂成立于1958年。1986年，109厂与中国科学院半导体研究所、计算技术研究所有关研制大规模集成电路部分合并为中国科学院微电子中心。2003年9月，正式更名为中国科学院微电子研究所。 

　　微电子所的战略定位是：中国微电子技术创新的引领者和产业发展的推动者。 

　　微电子所是国内微电子领域学科方向布局最完整的综合研究与开发机构，是国家科技重大专项集成电路装备及工艺前瞻性研发牵头组织单位，是中国科学院大学微电子学院（国家示范性微电子学院）的依托单位。 

　　微电子所目前设有5个半导体器件与集成电路制造研发单元（一室、微电子器件与集成技术重点实验室、高频高压器件与集成研发中心、集成电路先导技术研发中心、系统封装与集成研发中心），3个集成电路装备研发单元（微电子仪器设备研发中心、光电技术研发中心、光刻技术总体部），6个集成电路设计与应用研发单元（智能感知研发中心、健康电子研发中心、新能源汽车电子研发中心、通信与信息工程研发中心、智能制造电子研发中心、EDA中心） 

　　截至2021年底，微电子所共有在职职工1114人。其中科技人员684人、科技支撑人员280人，包括中国科学院院士2人、发展中国家科学院院士1人、国际欧亚科学院院士2人、研究员及正高级工程技术人员153人、副研究员及高级工程技术人员357人。 

　　微电子所是国务院学位委员会批准的博士学位（1996年5月获批）、硕士学位（1990年11月获批）授予权单位之一，现设有集成电路科学与工程、电子科学与技术、光学工程三个一级学科，及“电子信息”专业学位类别学位授权点。其中电子科学与技术下设“微电子学与固体电子学”（2011年获批中国科学院重点学科）、“电路与系统”两个二级学科；设有硕士、博士研究生培养点和“电子科学与技术”一级学科博士后流动站。截至2021年底，共有在学研究生1359名，其中微电子所979名（博士生427人、硕士生552人），微电子学院380名，此外在站博士后44人。 

　　2021年，微电子所共有在研项目527项（包括新增项目123项）。包括，主持（或承担）关键核心项目、国家重点研发计划、国家自然科学基金、先导专项（B类、C类）、弘光专项及高技术项目等国家重大科技项目。 

　　2021年，聚焦研究所主责主业，在充分研究论证的基础上，完成“十四五”规划编制工作。主要科研方向年度重要工作进展与成果如下：1、完成基于自对准栅极垂直纳米环栅器件的动态随机存储单元的研发及读写功能演示；完成四层堆叠硅/锗硅纳米片器件集成。开发出基于有机介质的晶圆级多层细线宽互连工艺，并应用于存储器与处理器集成。建立近场光刻快速仿真模型并构建修正规则库，完成对准仿真模型，实现高精度电子束直写邻近效应修正，研发近场光刻关键配套工艺技术，突破传统平坦化设备能力极限。2、成功开发依托阻变存储器平台的存内原生安全信任根存储技术，构建新型硬件安全IP及系统芯片架构，实现存储安全领域关键技术的突破。在28nm、14nm工艺节点下流片验证忆阻器存算一体芯片，实现了大规模忆阻器集成、高能效的数据转置与算术运算，广泛用于低功耗的人工智能处理器。3、与研究所孵化企业苏州迅芯联合攻关，研制出四款数模转换芯片产品，系列化芯片产品实现年产值超3000万元。4、研制成功二维电子材料与器件制备分析仪器，攻克了电场调控原子层沉积二维材料生长、器件制备和原位分析等关键技术，实现碳基材料、MoS₂等二维材料及器件一体化制备。开发了系列激光工艺设备。研制成功高深宽比光学测量原理装置、芯片封装缺陷检测原理装置、混合缺陷在线检测装置、国内首台六自由度激光跟踪仪样机、三自由度激光跟踪仪。5、研制出微瓦级超低功耗微处理器的亚阈值数字电路单元，设计了高能效边缘计算芯片，实现超低功耗智能声音图像微系统并进行小批量试制。研制出64通道脑神经微弱信号检测芯片，应用于国产脑机接口系统。6、联合华为海思首次提出垂直环形沟道结构铟镓锌氧场效应晶体管。7、初步突破纳米尺度金刚石表面光滑化技术，实现2英寸晶圆级金刚石与硅材料的室温异质集成。提出适用于表征金属/碳纳米管接触特性修正传输线模型。8、实现28nm高K/金属栅化学机械抛光工具并获得应用。突破碳基集成电路设计平台技术和碳基器件建模、物理知识库和标准单元库等关键技术，通过了流片验证，支持千门碳基电路设计。突破了高精度可变磁阻传感器接口自适应检测技术、高电压大功率电喷引擎驱动技术等关键技术，实现动力域引擎控制系统核心芯片的国产替代。 

　　2021年，微电子所获中科院、北京市及社会力量奖项9项。其中，“激光纳米加工技术机器专用设备的应用”获中国仪器仪表学会技术发明一等奖，“集成电路先进封装与系统集成关键技术研发与产业化团队”获中国科学院科技促进发展奖，高速高精度ADC/DAC关键技术获中国电子学会技术发明奖二等奖；“12英寸先进集成电路制程电感耦合等离子刻蚀机研发及产业化”项目参与获得北京市科技进步一等奖1项等。2021年发表论文518篇，其中SCI论文295篇、EI论文85篇，论文总影响因子1198.3074，申请专利943件，专利授权350件，登记软件著作权17项，集成电路设计布图8项，出版专/译著4部。 

　　2021年，微电子所根据科学院总体安排，对投资参股的企业进行分类清理，截止2021年年底，微电子所共持有63家企业股权，其中包括北方华创（002371）、中科微至（688211）两家上市公司和多家“专精特新”公司，高质量公司在所持股企业中的比重越来越高。2021年，完成年度分支机构清理任务，清理退出多家地方事业单位，推动地方共建合作平台转型，形成符合院地合作新原则的共建机构。 

　　2021年微电子所共邀请40余名外国专家在线进行技术交流，所内职工80余人在线参加各类国际会议。拓展国际合作渠道，有序开展国际合作。2021年获批中科院国际合作伙伴计划及北京市科委国际科技合作等项目3项。作为中科院曼谷创新合作中心理事单位，积极参与中心日常活动工作。成功组织了第五届国际先进光刻技术研讨会（IWAPS）和封装技术会议。 

　　微电子所是中国集成电路创新联盟秘书处、中国集成电路检测与测试创新联盟秘书处、示范性微电子学院产学融合发展联盟秘书处、全国半导体设备与材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会秘书处。