论文编号:
第一作者所在部门:
论文题目: High-Speed InGaAs/InP Double Heterostructure Bipolar Transistor with High Breakdown Voltage
论文题目英文:
作者: Jin Zhi, Su Yong-Bo, Cheng Wei, Liu Xin-Yu,Xu An-Huai and Qi Ming
论文出处:
刊物名称: Chinese Phys. Lett.
: 2008
: 25
:
: 2683-2685
联系作者: Jin Zhi
收录类别:
影响因子:
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: