| 论文编号: | |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | InGaAs/InP DHBT的基极-集电极设计 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 金智，刘新宇 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 中国科学E辑 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | |
| 期: | 09 |
| 页: | |
| 联系作者: | 金智 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | |
| 摘要: | 研究了在InGaAs/InP DHBT中,组分渐变的集电极和δ掺杂浓度对Kirk电流的影响.提出了有效过渡层的概念.在组分非连续渐变的结构中,有效过渡层扩展到InGaAs的缩进层中.对不同的Kirk效应条件,给出了最大掺杂浓度、最大Kirk电流密度以及相对应的δ掺杂浓度的公式.最大集电极掺杂浓度和最大Kirk电流密度都依赖于δ掺杂层.优化δ掺杂能大幅度提高器件的Kirk电流密度. |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出