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| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 应用于AlGaN/GaN HEMTs MMIC薄膜电阻的特性与可靠性 |
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| 作者: | 姚小江，蒲颜，刘新宇，吴伟超 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 7 |
| 页: | 1246-1248 |
| 联系作者: | 姚小江 |
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| 摘要: | TaN和NiCr是AlGaN/GaN HEMTs微波集成电路中薄膜电阻最为常用的两种材料. 文中对比了在SiC衬底上生长的这两种材料的薄膜电阻的可靠性. 通过TaN和NiCr薄膜电阻的对比，发现TaN薄膜电阻的方块电阻（Rs）随着退火温度的上升而增大，然而NiCr薄膜电阻的Rs却出现相反的趋势. 同时发现随着退火温度的上升TaN薄膜电阻的Rs和接触电阻（RC）的变化远远小于NiCr薄膜电阻的变化. 在400℃退火及等离子刻蚀机的氧等离子暴露后，TaN薄膜电阻的Rs只下降了0.7Ω，大概2.56% ，并且RC上升了0.1Ω，大概6.6%. 但是NiCr薄膜电阻的Rs和RC在不同的退火条件下经过氧等离子暴露后发生了很大的变化. 因此，TaN薄膜电阻在氮气保护下经过400℃退火后在氧等离子暴露下更为稳定. |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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