提出一种新的钝化技术--采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液（HF∶HCl∶H2O=1∶4∶20）对AlGaN/GaN HEMTs进行表面预处理后再淀积Si3N4钝化，研究了新型钝化技术对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响并分析其机理. 与用常规方法钝化的器件相比，经过表面预处理再钝化,成功地抑制了AlGaN/GaN HEMTs肖特基特性的恶化，有效地增强抑制电流崩塌效应的能力，将GaN基HEMTs的输出功率密度提高到5.2W/mm，并展现良好的电学可靠性. 通过X射线光电子谱（XPS）检测预处理前后的AlGaN表面，观察到经过预处理后的AlGaN表面氧元素的含量大幅度下降. 表面氧元素的含量下降，能有效地降低表面态密度和表面电荷陷阱密度，被认为是提高AlGaN/GaN HEMTs性能的主要原因.