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| 论文题目: | 利用电子束光刻技术实现200nm栅长GaAs基MHEMT器件 |
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| 作者: | 徐静波，张海英，王文新，刘亮，黎明，付晓君，牛洁斌，叶甜春 |
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| 刊物名称: | 《科学通报》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 53 |
| 期: | 5 |
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| 联系作者: | 徐静波 |
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| 摘要: | 电子束光刻（electron beam lithography）技术是实现微细栅长的光刻技术之一，利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基MHEMT器件．同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻，采用3层胶工艺，实现了T型栅．GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流、高频和功率性能，电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到105和70GHz，为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础． |
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