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| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型 |
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| 作者: | 葛霁，金智，刘新宇，程伟，王显泰，陈高鹏，吴德馨 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 9 |
| 页: | 1799-1803 |
| 联系作者: | 葛霁 |
| 收录类别: | |
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| 摘要: | 从物理机制上分析了超高速InP/InGaAs SHBT碰撞电离与温度的关系，通过加入表示温度的参数和简化电场计算，得到一种改进的碰撞电离模型. 同时针对自有工艺和器件特性，采用SDD (symbolically defined device）技术建立了一个包括碰撞电离和自热效应的InP/InGaAs SHBT的直流模型. 模型内嵌入HP-ADS中仿真并与测试结果进行比较，准确地拟合了InP/InGaAs SHBT的器件特性. |
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| 外单位作者单位: | |
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