| 论文编号: | |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 200nm栅长In0.52Al0.48As／In0.6Ga0.4As MHEMTs器件 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 黎明，张海英，徐静波，付晓君 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 9 |
| 页: | 1679-1681 |
| 联系作者: | 黎明 |
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| 摘要: | 利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基InAIAs/InGaAs MHEMT器件.Ti/Pt/Au蒸发作为栅极金属.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T 型栅. GaAs基MHEMT 器件获得了优越的直流和高频性能,跨导、饱和漏电流密度、域值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm, 605mA/mm, -1.8V, 110GHz及 72GHz，为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础. |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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