| 论文编号: | |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | T形栅In0.52Al0.48 As／In0.6Ga0.4As MHEMTs功率器件 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 黎明，张海英，徐静波，付晓君 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 12 |
| 页: | 2331-2334 |
| 联系作者: | 黎明 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | |
| 摘要: | 利用电子束光刻技术制备了200nm栅长GaAs基T型栅InAlAs/InGaAs MHEMT 器件.该GaAs基MHEMT器件具有优越的直流、高频和功率性能,跨导、饱和漏电流密度、阈值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm, 605mA/mm, -1.8V, 138GHz 和78GHz. 在8GHz下,输入功率为-0.88(2.11)dBm时,输出功率、增益、PAE、输出功率密度分别为14.05(13.79)dBm,14.9(11.68)dB,67.74 (75.1)%,254(239)mW/mm，为进一步研究高性能GaAs基MHEMT功率器件奠定了基础. |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出