| 论文编号: | |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 刘果果，郑英奎，魏珂，李诚瞻，刘新宇，和致经 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 7 |
| 页: | 1354-1356 |
| 联系作者: | 刘果果 |
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| 摘要: | 报道了基于国产衬底以及国产外延的AlGaN/GaN HEMT X波段功率器件的研究进展. 利用国产衬底以及外延材料，优化了器件栅场板的结构，研制成功栅长0.35μm，栅宽为1mm 的微波功率器件. 该器件输出电流密度达到0.83A/mm，击穿电压大于100V，跨导为236mS/mm，截止频率（fT）达到30GHz，最大振荡频率（fmax）为32GHz, 8GHz下在片进行连续波测试，漏端电压为40V时测试得到功率增益4.9dB，输出功率达8W，功率附加效率（PAE）为45%. |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
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