| 论文编号: | |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | f＝210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管 |
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| 作者: | 程伟,金智,刘新宇,于进勇,徐安怀,齐鸣 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 3 |
| 页: | 414-417 |
| 联系作者: | 程伟 |
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| 影响因子: | |
| 摘要: | 成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP/InGaAs单异质结晶体管制作工艺中. 在Vce=1.1V, Ic=33.5mA的偏置条件下，发射极尺寸为1.4μm×15μm的器件，其ft达到210GHz. 这种器件非常适合高速低功耗方面的应用，例如超高速数模混合电路以及光学通信系统等. |
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| 外单位作者单位: | |
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