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| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | A Short-Channel SOI RF Power LDMOS Technology With TiSi2 Salicide on Dual Sidewalls With Cutoff Frequency fT ～ 19.3 GHz |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | Rong Yang, J. F. Li, H. Qian, G. Q. Lo, N. Balasubramanian, and D. L. Kwong |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS |
| 年: | 2006 |
| 卷: | 27 |
| 期: | 11 |
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| 联系作者: | Rong Yang |
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科研产出