| 论文编号: | TN431 |
| 第一作者所在部门: | 微波器件与集成电路研究室(四室) |
| 论文题目: | 一个8GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 张辉;陈晓娟;刘果果;曾轩 袁婷婷;陈中子;王亮;刘新宇 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 电子器件 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 32 |
| 期: | 1 |
| 页: | 4，24-27 |
| 联系作者: | |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | |
| 摘要: | 论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试。该电路包含了1个10×100μm的AlGaN/GaN HEMT和输入输出匹配电路。在偏置条件为VDS=40 V、IDS=0.16 A时输出连续波饱和功率在8GHz达到36.5 dBm（4.5 W）,PAE为60%,线性增益10 dB;在偏置条件为VDS=30 V、IDS=0.19 A时输出连续波饱和功率在8 GHz达到35.6 dBm（3.6 W）,PAE为47%,线性增益9 dB。 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
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